[發明專利]晶體生長控制劑、p型半導體微粒或p型半導體微粒膜的形成方法、空穴傳輸層形成用組合物及太陽能電池有效

申請號：	201580012573.9	申請日：	2015-03-10
公開（公告）號：	CN106104773B	公開（公告）日：	2018-02-16
發明（設計）人：	仲村亮正;山之內篤史;淺井隆宏;石川薰	申請（專利權）人：	東京應化工業株式會社
主分類號：	H01L21/368	分類號：	H01L21/368;H01L51/44;H01L51/46
代理公司：	中科專利商標代理有限責任公司11021	代理人：	蔣亭
地址：	日本神***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	晶體生長控制半導體微粒形成方法空穴傳輸組合太陽能電池
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【權利要求書】：

1.一種晶體生長控制劑，其包含選自通過質子或陽離子的解離而生成硫醇鹽陰離子的化合物及二硫醚化合物中的至少1種含硫化合物，但硫氰酸鹽除外，

所述晶體生長控制劑控制p型半導體的晶體生長，

所述含硫化合物為選自芳香族硫醇化合物、二硫代羧酸化合物、式(R²¹R²²N－CS－S^－)_nX^m+所示的二硫代氨基甲酸化合物、硫酰胺化合物或其互變異構體、硫脲化合物或其互變異構體以及二硫醚化合物中的至少1種，

R²¹表示氫原子或任選具有取代基的1價烴基或烷氧基，R²²表示氫原子、任選具有取代基的碳數1～20的烯基、任選具有取代基的碳數6～20的芳基、任選具有取代基的碳數7～20的芳烷基、任選具有取代基的碳數7～20的烷基芳基、或任選具有取代基的烷氧基，R²¹和R²²可以相互相同或不同，n及m表示價數，且n＝m，X^m+表示價數m的陽離子。

2.一種p型半導體微粒或p型半導體微粒膜的形成方法，其包括在權利要求1所述的晶體生長控制劑的存在下使p型半導體結晶化的工序。

3.根據權利要求2所述的形成方法，在具有空孔的多孔n型半導體中的所述空孔內使所述p型半導體結晶化而以所述p型半導體填充所述空孔的至少一部分。

4.一種太陽能電池的空穴傳輸層形成用組合物，其含有p型半導體和權利要求1所述的晶體生長控制劑。

5.根據權利要求4所述的空穴傳輸層形成用組合物，其不含有機鹽。

6.一種太陽能電池，其在導電性基板與對電極層之間具備光電轉換層和由權利要求4或5所述的空穴傳輸層形成用組合物形成的空穴傳輸層。

7.一種太陽能電池，其具備：

導電性基板、

設置于所述導電性基板上且包含具有空孔的多孔n型半導體及吸附于所述多孔n型半導體的敏化材料的光電轉換層、

設置于所述光電轉換層上且對所述空孔的至少一部分進行填充的空穴傳輸層、和

設置于所述空穴傳輸層上的對電極層，

所述空穴傳輸層為由權利要求4或5所述的空穴傳輸層形成用組合物形成的層。

8.一種太陽能電池的空穴傳輸層形成用組合物，其含有p型半導體、有機鹽和權利要求1所述晶體生長控制劑。