[發明專利]吸附材料和結晶性硅鈦酸鹽的制造方法

有效

• 申請號: 201580011122.3
• 申請日: 2015-03-24
• 公開（公告）號: CN106062885B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 宮部慎介;木之瀨豐;菊池政博;坂本剛
• 申請（專利權）人: 日本化學工業株式會社
• 主分類號: G21F9/12
• 分類號: G21F9/12;B01J20/10;B01J20/30;C01B33/32;C01B33/36
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳,狄茜

1.一種銫或鍶的吸附材料，其特征在于：

其含有選自通式：Na₄Ti₄Si₃O₁₆·nH₂O、(Na_xK_(1-x))₄Ti₄Si₃O₁₆·nH₂O和K₄Ti₄Si₃O₁₆·nH₂O所示的結晶性硅鈦酸鹽中的至少一種和選自通式：Na₄Ti₉O₂₀·mH₂O、(Na_yK_(1-y))₄Ti₉O₂₀·mH₂O和K₄Ti₉O₂₀·mH₂O所示的鈦酸鹽中的至少一種，這些式中，x表示大于0且小于1的數，n表示0～8的數，y表示大于0且小于1的數，m表示0～10的數。

2.如權利要求1所述的吸附材料，其特征在于：

在將Cu-Kα用于X射線源且在衍射角(2θ)為5～80°的范圍內對所述吸附材料進行X射線衍射測定時，觀察到1個以上的所述結晶性硅鈦酸鹽的峰，并且觀察到1個以上的所述鈦酸鹽的峰，

所述鈦酸鹽的主峰的高度相對于所述結晶性硅鈦酸鹽的主峰的高度的比為5％以上、70％以下。

3.如權利要求1或2所述的吸附材料，其特征在于：

在將Cu-Kα用于X射線源且在衍射角(2θ)為5～80°的范圍內對所述吸附材料進行X射線衍射測定時，在衍射角(2θ)8～10°以下觀察到所述鈦酸鹽的主峰。

4.如權利要求1或2所述的吸附材料，其特征在于：

作為所述結晶性硅鈦酸鹽，含有Na₄Ti₄Si₃O₁₆·nH₂O和K₄Ti₄Si₃O₁₆·nH₂O，或含有(Na_xK_(1-x))₄Ti₄Si₃O₁₆·nH₂O。

5.如權利要求1或2所述的吸附材料，其特征在于：

其為粉末狀或顆粒狀的。