[發明專利]受應力鰭NMOS FinFET的方法和裝置有效
| 申請號： | 201580010571.6 | 申請日： | 2015-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN106068565B | 公開（公告）日： | 2019-05-10 |
| 發明（設計）人： | J·J·徐;C·F·耶普 | 申請（專利權）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應力 nmos finfet 方法 裝置 | ||
【權利要求書】：
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