[發(fā)明專利]含絕緣涂層的晶粒取向電工鋼扁平材

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580005979.4
• 申請日: 2015-01-30
• 公開（公告）號: CN105980584B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蒂埃里·貝爾格朗;克里斯托夫·里巴克;雷吉斯·勒邁特;卡斯滕·舍佩爾斯
• 申請（專利權(quán)）人: 蒂森克虜伯電工鋼有限公司
• 主分類號: C21D8/12
• 分類號: C21D8/12;H01F1/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 樊曉煥,金小芳

1.晶粒取向電工鋼扁平材，包括施加于所述扁平材的至少一個表面上的絕緣涂層，該絕緣涂層包括含有磷酸鹽和二氧化硅的基質(zhì)，

其特征在于

所述絕緣涂層還包含填料顆粒，所述填料顆粒包括

-由高楊氏模量材料構(gòu)成的核，和

-殼，所述殼包圍所述核，并且所述殼由將所述填料顆粒粘合至所述基質(zhì)的材料構(gòu)成；

所述填料顆粒的平均粒徑為10nm至1000nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶粒取向電工鋼扁平材，其特征在于所述絕緣涂層包含0.1重量％至50.0重量％的填料顆粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核包含至少一種金屬氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核由至少一種金屬氧化物構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核包含至少一種過渡金屬氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核由至少一種過渡金屬氧化物構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述顆粒的核由楊氏模量至少為200GPa的材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶粒取向電工鋼扁平材，其特征在于所述顆粒的核由楊氏模量為250GPa至650GPa的材料制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核由這樣的材料制成，該材料包含至少一種金屬氧化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核由這樣的材料制成，該材料由至少一種金屬氧化物構(gòu)成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核由這樣的材料制成，該材料包含至少一種過渡金屬氧化物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核由這樣的材料制成，該材料由至少一種過渡金屬氧化物構(gòu)成。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶粒取向電工鋼扁平材，其特征在于所述核的材料包含Al₂O₃、TiO₂和/或ZrO₂。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶粒取向電工鋼扁平材，其特征在于所述核的材料由Al₂O₃、TiO₂和/或ZrO₂構(gòu)成。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，其特征在于所述填料顆粒的殼由無機(jī)材料制成。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的殼包含氧化鋁、氫氧化鋁和/或二氧化硅。

17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的殼由氧化鋁、氫氧化鋁和/或二氧化硅構(gòu)成。

18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒的核材料占所述填料顆粒高達(dá)80.0重量％至99.9重量％。

19.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述填料顆粒在所述絕緣涂層中的含量為0.1重量％至50.0重量％。

20.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述絕緣涂層的基質(zhì)的磷酸鹽組分為至少一種金屬磷酸鹽的形式。

21.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述絕緣涂層基質(zhì)的二氧化硅組分為膠體二氧化硅。

22.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼扁平材，

其特征在于所述絕緣涂層不含鉻化合物。