[發(fā)明專利]用于增材制造的晶格結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)保留拓?fù)鋬?yōu)化的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580004025.1 | 申請日: | 2015-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN105874510B | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | S.R.穆蘇瓦蒂;E.阿里索伊 | 申請(專利權(quán))人: | 西門子產(chǎn)品生命周期管理軟件公司 |
| 主分類號: | G06T15/08 | 分類號: | G06T15/08 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 王健,張濤 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 晶格 結(jié)構(gòu) 保留 拓?fù)?/a> 優(yōu)化 方法 | ||
對其它申請的交叉引用
本申請要求2014年1月9日提交的美國臨時(shí)專利申請61/925,362的提交日的利益,該美國臨時(shí)專利申請通過引用在此并入。
本申請要求2014年3月5日提交的美國臨時(shí)專利申請61/948,157的提交日的利益,該美國臨時(shí)專利申請通過引用在此并入。
該申請與共同轉(zhuǎn)讓、同時(shí)提交的美國專利申請“Method for Creating Three Dimensional Lattice Structure in Computer-Aided Design Models for Additive Manufacturing”(律師案卷號2014P00366US01)共享某種主題,該美國專利申請通過引用在此并入。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開大體針對增材制造,并且更具體地針對用于使用晶格模型執(zhí)行增材制造的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)
增材制造使得能夠制造具有復(fù)雜內(nèi)部晶格結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,其是以替換固體體積的重復(fù)形狀的其它圖案或網(wǎng)格狀圖案的形狀的重復(fù)布置。晶格化部分被限定為其中體積的部分已經(jīng)替換為包括單元形狀的圖案的適當(dāng)晶格的部分。
發(fā)明內(nèi)容
各種所公開的實(shí)施例包括用于增材制造的晶格結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)保留拓?fù)鋬?yōu)化的方法。方法包括接收初始晶格模型、要優(yōu)化的初始晶格模型的物理目標(biāo)、要應(yīng)用到初始晶格模型的力及其相應(yīng)位置、以及用于經(jīng)優(yōu)化的晶格模型的最優(yōu)體積比,計(jì)算軸線對準(zhǔn)的體素網(wǎng)格和初始晶格模型的邊界框,計(jì)算初始晶格模型的初始體積比的隱含標(biāo)量場表示,將負(fù)載映射到其在軸向?qū)?zhǔn)的體素網(wǎng)格中的相應(yīng)位置,在初始晶格模型上執(zhí)行增材拓?fù)鋬?yōu)化以創(chuàng)建經(jīng)優(yōu)化的晶格模型直到初始體積比滿足最優(yōu)體積比,并且存儲(chǔ)經(jīng)優(yōu)化的晶格模型。
前述內(nèi)容已經(jīng)相當(dāng)寬泛地概述了本公開的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn),使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解隨后的詳細(xì)描述。本公開的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在形成權(quán)利要求的主題的隨后部分描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì)到,它們可以容易地使用所公開的概念和具體實(shí)施例作為用于修改或設(shè)計(jì)用來實(shí)現(xiàn)本公開的相同目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將認(rèn)識到,這樣的等同構(gòu)造不偏離以其最寬形式的本公開的精神和范圍。
在采取下面的具體實(shí)施方式之前,可以有利的是闡述遍及該專利文獻(xiàn)所使用的某些詞語或短語的定義:術(shù)語“包括”和“包含”以及其衍生詞意指包括但不限于;術(shù)語“或”是包括性的,意指和/或;短語“與......相關(guān)聯(lián)”和“與其相關(guān)聯(lián)”以及其衍生短語可以意指包括、包括在內(nèi)、與其互連、包含、包含在內(nèi)、連接到或與其連接、耦合到或與其耦合、與其可通信、與其協(xié)作、交錯(cuò)、并置、逼近、結(jié)合到或與其結(jié)合、具有、具有性質(zhì)等;并且術(shù)語“控制器”意指控制至少一個(gè)操作的任何設(shè)備、系統(tǒng)或其部分,而不管這樣的設(shè)備是否實(shí)現(xiàn)在硬件、固件、軟件或它們中的至少兩個(gè)的某種組合中。應(yīng)當(dāng)指出的是,與任何特定控制器相關(guān)聯(lián)的功能性可以是集中式或分布式的,而不管在本地還是在遠(yuǎn)處。針對某些詞語和短語的定義遍及該專利文獻(xiàn)而提供,并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解到,這樣的定義在許多(如果不是大多數(shù)的話)實(shí)例中應(yīng)用于這樣定義的詞語和短語的先前以及未來的使用。盡管一些術(shù)語可以包括各種各樣的實(shí)施例,但是隨附權(quán)利要求可以明確地將這些術(shù)語限制于具體實(shí)施例。
附圖說明
為了更完整地理解本公開及其優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在參照結(jié)合附圖考慮的以下描述,其中相同附圖標(biāo)記指代相同對象,并且其中:
圖1圖示了其中可以實(shí)現(xiàn)實(shí)施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖;
圖2A圖示了根據(jù)所公開的實(shí)施例的二維(2D)初始晶格模型;
圖2B圖示了根據(jù)所公開的實(shí)施例的2D經(jīng)優(yōu)化的晶格模型;
圖3A、3B和3C圖示了根據(jù)所公開的實(shí)施例的具有不同邊界條件的增材拓?fù)鋬?yōu)化的三維(3D)示例;
圖4圖示了根據(jù)所公開的實(shí)施例的具有中間晶格模型的拓?fù)鋬?yōu)化方法。
圖5A-5D圖示了依照所公開的實(shí)施例的晶格的有限元分析;
圖6描繪了依照所公開的實(shí)施例的可以例如由產(chǎn)品生命周期管理(PLM)或產(chǎn)品數(shù)據(jù)管理(PDM)系統(tǒng)執(zhí)行的拓?fù)鋬?yōu)化過程的流程圖;以及
圖7描繪了依照所公開的實(shí)施例的可以例如由PLM或PDM系統(tǒng)執(zhí)行的增材拓?fù)鋬?yōu)化過程的流程圖。
具體實(shí)施方式
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