[發(fā)明專利]阻擋膜及制備該阻擋膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580002215.X
• 申請(qǐng)日: 2015-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN105636774B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃檣淵;金東烈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B32B7/04
• 分類號(hào): B32B7/04;B32B9/00;B32B27/06
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11225
• 代理人: 張皓,徐琳

1.一種阻擋膜，其依序包括基底層、無機(jī)層和樹脂層，并包括存在于所述基底層與所述無機(jī)層之間的第一介電層和存在于所述無機(jī)層與所述樹脂層之間的第二介電層，以及滿足以下表達(dá)式1或表達(dá)式2：

[表達(dá)式1]

n_p≤n_s≤n₁<n_i

[表達(dá)式2]

n_p≤n_s≤n₂<n_i

在表達(dá)式1和表達(dá)式2中，n_p為所述樹脂層的折射率，n_s為所述基底層的折射率，n₁為所述第一介電層的折射率，n₂為所述第二介電層的折射率，以及n_i為所述無機(jī)層的折射率，以及

其中，當(dāng)n₁大于n₂(n₁>n₂)時(shí)，所述第一介電層具有小于450nm的厚度，以及當(dāng)n₂大于n₁(n₂>n₁)時(shí)，所述第二介電層具有小于450nm的厚度。

2.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其滿足表達(dá)式1和表達(dá)式2。

3.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，當(dāng)n₁等于或大于n₂(n₁≥n₂)時(shí)，d₁等于或小于d₂(d₁≤d₂)，以及當(dāng)n₂等于或大于n₁(n₂≥n₁)時(shí)，d₂等于或小于d₁(d₂≤d₁)，其中d₁為所述第一介電層的厚度，以及d₂為所述第二介電層的厚度。

4.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其滿足表達(dá)式1和表達(dá)式2，其中，當(dāng)n₁等于或大于n₂(n₁≥n₂)時(shí)，所述第一介電層具有等于或大于100nm且小于450nm的厚度，以及當(dāng)n₂等于或大于n₁(n₂≥n₁)時(shí)，所述第二介電層具有等于或大于100nm且小于450nm的厚度。

5.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，所述第一介電層的折射率n₁或所述第二介電層的折射率n₂在1.35至1.9的范圍內(nèi)。

6.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，所述樹脂層的折射率n_p在1.4至1.7的范圍內(nèi)。

7.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，所述基底層的折射率n_s在1.45至1.78的范圍內(nèi)。

8.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，所述無機(jī)層的折射率n_i為1.65以上。

9.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，所述第一介電層的折射率n₁和所述無機(jī)層的折射率n_i滿足以下表達(dá)式3：

[表達(dá)式3]

0.3≤(n₁-1)/(n_i-1)≤0.95。

10.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，所述第二介電層的折射率n₂和所述無機(jī)層的折射率n_i滿足以下表達(dá)式6：

[表達(dá)式6]

0.3≤(n₂-1)/(n_i-1)≤0.95。

11.權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其中，根據(jù)ASTM E313的黃度指數(shù)在-2.5至2.5的范圍內(nèi)。