[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201580002155.1
• 申請日: 2015-02-20
• 公開（公告）號: CN105612614B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 齋藤隆;加藤遼一;西村芳孝;百瀨文彥
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H01L23/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 俞丹

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

多塊絕緣電路基板，該多塊絕緣電路基板具備絕緣基板、在所述絕緣基板的正面上與半導體元件連接的電路部、以及在所述絕緣基板的背面上的金屬部；

金屬板，該金屬板比所述絕緣電路基板大，并且與所述多塊絕緣電路基板的所述金屬部接合；以及

接合構件，該接合構件接合所述絕緣電路基板和所述金屬板，

在所述金屬板的正面上所述絕緣電路基板相互間隔地配置，并且在所述金屬板的背面上具備對應于所述金屬部的配置的第一區域和除所述第一區域以外的第二區域，

在所述第一區域的至少一部分表面上具備表面加工硬化層，

所述第二區域與所述表面加工硬化層的硬度不同。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述表面加工硬化層橫跨多個所述第一區域而延伸。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述表面加工硬化層橫跨多個所述第一區域而延伸的方向是所述金屬板的寬度較短的方向。

4.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一區域內的彎曲量為50μm以下。

5.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一區域內的所述表面加工硬化層的面積為所述第一區域的面積的30％以上。

6.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述絕緣基板的材質以氧化鋁、氮化鋁或氮化硅為主要成分。

7.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬板是用于冷卻所述半導體元件的散熱板。

8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

該半導體裝置包括：

多塊絕緣電路基板，該多塊絕緣電路基板具備絕緣基板、在所述絕緣基板的正面上與半導體元件連接的電路部、以及在所述絕緣基板的背面上的金屬部；

金屬板，該金屬板比所述絕緣電路基板大，并且在正面上所述絕緣電路基板相互間隔地配置，并且在背面上具備對應于所述金屬部的配置的第一區域和除所述第一區域以外的第二區域；以及

接合構件，該接合構件接合所述絕緣電路基板和所述金屬板，

所述半導體裝置的制造方法包含：

除了所述金屬板的背面內的所述第一區域的至少一部分以外，在所述金屬板的背面形成掩模的工序、以及

在所述第一區域的未形成所述掩模的區域上通過噴丸硬化處理形成表面加工硬化層的工序。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

包含在形成所述表面加工硬化層后對所述半導體裝置進行加熱處理的工序。

10.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述加熱處理的加熱溫度在60℃以上175℃以下。

11.如權利要求9或10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述加熱處理后進行冷卻處理，并交替地重復所述加熱處理及所述冷卻處理。

12.如權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述加熱處理及所述冷卻處理的循環次數為1個循環以上。

13.如權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述加熱處理在150℃下進行，所述冷卻處理在－40℃下進行。