[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201580002148.1 | 申請日： | 2015-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN105612690B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 仲村秀世;堀尾真史 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H05K1/18;H05K1/02;H01L25/16;H05K1/03;H01L25/065;H02M7/00;H02M7/487 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
第1開關元件及第2開關元件；
第1二極管及第2二極管；
安裝所述第1開關元件及所述第1二極管的第1電路板；
安裝所述第2開關元件及所述第2二極管的第2電路板；
與所述第1電路板及所述第2電路板相對配置且具有金屬層的印刷基板；以及
在所述第1開關元件、所述第2開關元件、所述第1二極管、所述第2二極管、所述第1電路板或所述第2電路板與所述印刷基板的所述金屬層之間進行電連接的多個導電柱，
所述第1開關元件與所述第1二極管反向并聯連接，
所述第2開關元件與所述第2二極管反向并聯連接，
所述第1開關元件與所述第2開關元件經由所述導電柱、所述金屬層和所述第1電路板或所述第2電路板反向地串聯連接，從而構成雙向開關。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：
多個外部端子；以及
多個第3電路板，該多個第3電路板連接了所述外部端子中一個以上的外部端子和所述導電柱中一個以上的導電柱。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第1電路板及所述第2電路板以沿所述第1電路板及所述第2電路板的排列方向延伸的中心線為軸呈線對稱的形狀，
所述第3電路板分別排列配置在相對于所述中心線呈線對稱的位置上，
在所述第3電路板上連接了與所述第1開關元件、所述第2開關元件、所述第1二極管或所述第2二極管相同電位的所述外部端子。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第1開關元件及所述第2開關元件為IGBT。
5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
安裝在所述第1電路板上的所述IGBT的集電極與安裝在所述第2電路板上的所述IGBT的集電極之間進行電連接。
6.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
安裝在所述第1電路板上的所述IGBT的發射極與安裝在所述第2電路板上的所述IGBT的發射極之間進行電連接。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第1開關元件及所述第2開關元件為功率MOSFET。
8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，
安裝在所述第1電路板上的所述功率MOSFET的漏極與安裝在所述第2電路板上的所述功率MOSFET的漏極之間進行電連接。
9.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，
安裝在所述第1電路板上的所述功率MOSFET的源極與安裝在所述第2電路板上的所述功率MOSFET的源極之間進行電連接。
10.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第1電路板設置于第1絕緣基板，所述第2電路板設置于第2絕緣基板。
11.如權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第1絕緣基板在與設置所述第1電路板的面相反側的面上具備金屬板，
所述第2絕緣基板在與設置所述第2電路板的面相反側的面上具備金屬板。
12.如權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，
用長方體形狀的樹脂覆蓋所述第1電路板、所述第2電路板、所述第1開關元件、所述第2開關元件、所述第1二極管、所述第2二極管、所述導電柱及所述印刷基板，
所述外部端子從所述長方體的樹脂向相同方向突出并配置在所述長方體的長邊方向上。
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