[發明專利]氫氧化物離子傳導致密膜及復合材料

在審

• 申請號: 201580002124.6
• 申請日: 2015-10-09
• 公開（公告）號: CN107210081A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 淺井宏太;鬼頭賢信
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01B1/06
• 分類號: H01B1/06;B32B5/18;C01F7/00;C08J5/22;H01B5/14;H01M2/16;H01M8/0245;H01M10/36
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙)11432
• 代理人: 王軼,鄭雪娜

1.一種氫氧化物離子傳導致密膜，具有氫氧化物離子傳導性，并且，每單位面積的He透過率為10cm/min·atm以下。

2.根據權利要求1所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，所述He透過率為1.0cm/min·atm以下。

3.根據權利要求1或2所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，在水接觸下進行評價時每單位面積的Zn透過比例為10m^－2·h^－1以下。

4.根據權利要求3所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，所述Zn透過比例為1.0m^－2·h^－1以下。

5.權利要求1～4中的任一項所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，包含具有氫氧化物離子傳導性的無機材料及/或具有氫氧化物離子傳導性的有機材料。

6.根據權利要求5所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，具有氫氧化物離子傳導性的無機材料包含由通式：M²⁺_1－xM³⁺_x(OH)₂A^n－x/n·mH₂O所表示的層狀雙氫氧化物，式中，M²⁺為2價的陽離子，M³⁺為3價的陽離子，A^n－為n價的陰離子，n為1以上的整數，x為0.1～0.4，m為0以上。

7.根據權利要求6所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，在所述通式中，至少M²⁺中包含Mg²⁺，M³⁺中包含Al³⁺，A^n－中包含OH^－及/或CO₃^2－。

8.根據權利要求6或7所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，所述層狀雙氫氧化物由多個板狀粒子的集合體構成，該多個板狀粒子向它們的板面與所述致密層大致垂直地交叉或傾斜地交叉的方向取向。

9.根據權利要求1～8中的任一項所述的氫氧化物離子傳導致密膜，其中，所述氫氧化物離子傳導致密膜具有100μm以下的厚度。

10.一種復合材料，所述復合材料包括：多孔基材和設置在該多孔基材的至少一方表面的權利要求1～9中的任一項所述的氫氧化物離子傳導致密膜。

11.根據權利要求10所述的復合材料，其中，所述多孔基材由選自陶瓷材料、金屬材料和高分子材料中的至少1種構成。

12.根據權利要求11所述的復合材料，其中，所述多孔基材由陶瓷材料構成，該陶瓷材料是選自氧化鋁、氧化鋯、二氧化鈦、氧化鎂、尖晶石、氧化鈣、堇青石、沸石、多鋁紅柱石、鐵氧體、氧化鋅及碳化硅中的至少1種。

13.根據權利要求10～12中的任一項所述的復合材料，其中，所述多孔基材的平均氣孔徑為0.001～1.5μm。

14.根據權利要求10～13中的任一項所述的復合材料，其中，所述多孔基材的表面的氣孔率為10～60％。

15.一種電池，作為該電池的隔板，包括權利要求1～9中的任一項所述的氫氧化物離子傳導致密膜或權利要求10～14中的任一項所述的復合材料。