[發明專利]光纖及其制造方法

有效

• 申請號: 201580001948.1
• 申請日: 2015-07-30
• 公開（公告）號: CN105556353B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 岸達也;遠藤祥;北村隆之
• 申請（專利權）人: 株式會社藤倉
• 主分類號: G02B6/028
• 分類號: G02B6/028;C03B37/018
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李洋;青煒

1.一種光纖，其特征在于，

具有纖芯和包圍所述纖芯的外周的包層，

在將所述纖芯的半徑用r1表示、將所述纖芯的中心與所述包層的比折射率差用第一比折射率差Δ1a表示、將距所述纖芯的所述中心的徑向上的距離為r1的位置與所述包層的比折射率差用第二比折射率差Δ1b表示時，

所述第一比折射率差Δ1a大于0，

所述第二比折射率差Δ1b大于0，

所述第一比折射率差Δ1a大于所述第二比折射率差Δ1b，

所述第一比折射率差Δ1a與所述第二比折射率差Δ1b滿足用下式所表示的關系：

0.20≤(Δ1a－Δ1b)/Δ1a≤0.88

并且，

所述纖芯的折射率分布Δ，作為距所述纖芯的所述中心的徑向上的距離r的函數Δ(r)，在0≤r≤r1整個區間，用下式表示：

Δ(r)＝Δ1a－(Δ1a－Δ1b)r/r1，

滿足下述條件A、條件B或者條件C，

所述條件A：

所述包層至少具有與所述纖芯的所述外周鄰接的內包層部、和形成于所述內包層部的外周的外包層部，

將所述內包層部的最小折射率用Δ2min表示，將所述外包層部的折射率用Δ3表示時，所述內包層部的所述最小折射率Δ2min與所述外包層部的所述折射率Δ3滿足0.01％＜|Δ2min－Δ3|＜0.03％這一式子，所述纖芯的所述半徑r1與所述內包層部的半徑r2之比r1/r2處于0.2≤r1/r2≤0.5這一式子所示的范圍；

所述條件B：

所述包層至少具有與所述纖芯的所述外周鄰接的內包層部、與所述內包層部的外周鄰接的凹槽部、以及形成于所述凹槽部的外周的外包層部，

將所述纖芯的最大折射率用Δ1max表示，將所述內包層部的折射率用Δ2表示，將所述凹槽部的最小折射率用Δ3min表示，將所述外包層部的折射率用Δ4表示時，

所述纖芯的所述最大折射率Δ1max、所述內包層部的所述折射率Δ2、所述凹槽部的所述最小折射率Δ3min、以及所述外包層部的所述折射率Δ4滿足Δ1max＞Δ2＞Δ3min這一式子、Δ1max＞Δ4＞Δ3min這一式子以及0.01％＜(Δ4－Δ3min)＜0.03％這一式子，

所述內包層部的半徑r2與所述纖芯的所述半徑r1之比r2/r1處于1≤r2/r1≤5這一式子所示的范圍，

所述凹槽部的半徑r3與所述內包層部的所述半徑r2之比r3/r2處于1＜r3/r2≤2這一式子所示的范圍；

所述條件C：

所述第一比折射率差Δ1a滿足0.48％＜Δ1a≤0.50％這一關系,

由這一式子表示的銳角度為70％～88％。

2.根據權利要求1所述的光纖，其特征在于，

所述第一比折射率差Δ1a滿足0.35％＜Δ1a≤0.50％的關系。

3.根據權利要求1或2所述的光纖，其特征在于，

所述第二比折射率差Δ1b滿足0.06％≤Δ1b＜0.35％的關系。

4.根據權利要求1或2所述的光纖，其特征在于，

所述半徑r1滿足4.50μm＜r1≤6.25μm的關系。

5.根據權利要求1或2所述的光纖，其特征在于，

波長1550nm、彎曲半徑15mm下的彎曲損耗的值在0.102dB/10個彎以下。

6.根據權利要求1或2所述的光纖，其特征在于，

滿足所述條件A或所述條件B，所述第一比折射率差Δ1a與所述第二比折射率差Δ1b滿足用下式表示的關系：

0.42≤(Δ1a－Δ1b)/Δ1a≤0.88。

7.根據權利要求6所述的光纖，其特征在于，

波長1550nm、彎曲半徑15mm下的彎曲損耗的值在0.055dB/10個彎以下。

8.根據權利要求1或2所述的光纖，其特征在于，

纜線截止波長在1260nm以下。