[發明專利]透明導電性膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201580001716.6
• 申請日: 2015-04-28
• 公開（公告）號: CN105492653B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 藤野望;梨木智剛;加藤大貴;待永廣宣;佐佐和明;上田惠梨;松田知也
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;B32B9/00;C23C14/35;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

本發明提供一種實現透明導電層的低電阻特性的透明導電性膜。本發明是具備高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一個面側利用使用含有氬的濺射氣體的濺射法形成的透明導電層的透明導電性膜，所述透明導電層中的氬原子的存在原子量為0.24原子％以下，所述透明導電層中的氫原子的存在原子量為13×10²⁰原子/cm³以下，所述透明導電層的電阻率為1.1×10^?4Ω·cm以上且2.8×10^?4Ω·cm以下。

技術領域

本發明涉及透明導電性膜及其制造方法。

背景技術

以往，作為透明導電性膜，廣為人知的是在玻璃基材上形成了ITO膜(銦-錫復合氧化物膜)的所謂導電性玻璃。另一方面，玻璃基材的撓曲性、加工性差，存在有因用途不同而無法使用的情況。由此，近年來，由于不僅撓曲性、加工性優異、而且耐沖擊性優異、輕質等優點，而提出了在以聚對苯二甲酸乙二醇酯膜為首的各種高分子膜基材上形成了ITO膜的透明導電性膜。

對于以觸控面板為代表的透明導電材料要求高透明、高透射、高耐久性之類的特性。作為用于提高透射率的對策，已知有在透明薄膜的濺射成膜時以使薄膜中的濺射氣體的構成原子為0.05原子％以下的方式進行濺射的構成等(參照專利文獻1)。

此外，為了應對觸控面板的大畫面化，以高靈敏度(操作性提高)及低耗電為目標，對于在高分子膜基材上形成的ITO膜而言降低電阻率值及表面電阻值的要求提高起來。作為賦予優異的光透射性、并且電阻率小的透明導電性膜的對策，提出了利用使靶材上的水平方向磁場為50mT以上的磁控濺射法在膜基材上形成ITO膜的技術(參照專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2002-371355號公報

專利文獻2：國際公開第2013/080995號

發明內容

發明所要解決的問題

雖然在上述技術中根據用途不同作為電阻率而言也會充分地降低，然而本發明人等從開發下一代的透明導電性膜的觀點出發，進行了進一步低電阻率化的研究。因此，嘗試從ITO膜的形成過程及組成的兩方面進行了研究。

圖3是示意性地表示利用濺射形成ITO膜的過程的概念圖。導入濺射室內的以氬作為主成分的濺射氣體(根據需要含有氧。)與因ITO靶13與搬送膜基材的輥52之間的電位差而產生的電子碰撞后離子化，產生等離子體5。如此產生的離子(特別是氬離子4)與靶13碰撞，飛出的靶粒子2′堆積在高分子膜基材1上，由此形成透明導電層2。

此時，與靶13碰撞的離子的一部分從靶13反跳而飛向基材1側，從而有作為氬原子4′納入透明導電層2的情況。另外，除了氬原子以外，有時還會向透明導電層2中納入來自于高分子膜基材1中所含的水分或有機成分、或者濺射氣氛中的水分等的氫原子6。

本發明人等基于納入透明導電層中的氬原子、氫原子等作為雜質發揮作用、它們是否對電阻特性產生影響的預測反復進行了研究。

本發明的目的在于，提供一種實現透明導電層的低電阻特性的透明導電性膜。

用于解決問題的方法

本發明人等為了達成上述的目的，進行了深入研究，結果發現，在透明導電層中所含的雜質與電阻值之間存在有一定的相關性，通過控制它可以達成上述目的，基于此種新的技術見解，完成了本發明。

即，本發明提供一種透明導電性膜，是具備高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一個面側利用使用含有氬的濺射氣體的濺射法形成的透明導電層的透明導電性膜，

所述透明導電層中的氬原子的存在原子量為0.24原子％以下，