[發明專利]帶載體極薄銅箔和使用該帶載體極薄銅箔制造的覆銅層壓板、印制電路板以及無核基板

有效

• 申請號: 201580001218.1
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN105378150B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 藤田諒太;宇野岳夫
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: C25D1/22
• 分類號: C25D1/22;C25D1/04;H05K1/09
• 代理公司: 北京思益華倫專利代理事務所(普通合伙) 11418
• 代理人: 郭紅麗;常殿國

1.一種帶載體極薄銅箔，其是在載體箔上依次層壓擴散防止層、剝離層以及極薄銅箔而形成，所述帶載體極薄銅箔的特征在于，

所述剝離層含有Cu，并且由含有選自Mo、W、Fe、Co及Ni的至少一種元素的銅合金構成，從未加熱的所述帶載體極薄銅箔上撕下載體箔，并利用俄歇電子分光分析法、即AES對撕下的載體箔的剝離面進行深度方向組成分析，以Cu、Co、Mo、Ni、Fe、W、C以及O作為分母時的、距離所述剝離面15nm以內的深度位置處存在的Cu的元素比例的最大值為9at.％～91at.％。

2.根據權利要求1所述的帶載體極薄銅箔，其中，從在220℃下進行1小時熱處理后的帶載體極薄銅箔撕下載體箔時的20℃下的抗撕強度T1小于0.02kN/m，并且，從在350℃下進行10分鐘熱處理后的帶載體極薄銅箔撕下載體箔時的20℃下的抗撕強度T2為0.02kN/m～0.1kN/m。

3.根據權利要求2所述的帶載體極薄銅箔，其中，在350℃下進行10分鐘熱處理后的20℃下的所述抗撕強度T2、與在220℃下進行1小時熱處理后的20℃下的所述抗撕強度T1之差、即T2-T1在0.015kN/m～0.080kN/m的范圍內。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的帶載體極薄銅箔，其中，所述擴散防止層由Fe、Ni、Co或者這些元素形成的合金形成。

5.一種覆銅層壓板，其使用權利要求1至3中任一項所述的帶載體極薄銅箔進行制造。

6.一種印制電路板，其使用權利要求1至3中任一項所述的帶載體極薄銅箔進行制造。

7.一種無核基板，其使用權利要求1至3中任一項所述的帶載體極薄銅箔進行制造。

8.一種覆銅層壓板，其使用權利要求4所述的帶載體極薄銅箔進行制造。

9.一種印制電路板，其使用權利要求4所述的帶載體極薄銅箔進行制造。

10.一種無核基板，其使用權利要求4所述的帶載體極薄銅箔進行制造。