[發(fā)明專利]微發(fā)光二極管的轉移方法、制造方法、裝置和電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580001216.2 | 申請日: | 2015-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN105493298B | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄒泉波;王喆 | 申請(專利權)人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 楊國權;馬佑平 |
| 地址: | 261031 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微發(fā)光二極管 襯底 電子設備 發(fā)光二極管 襯底剝離 激光照射 預先設置 透明的 接墊 制造 激光 | ||
本發(fā)明公開了一種微發(fā)光二極管的轉移方法、制造方法、裝置和電子設備。該用于微發(fā)光二極管轉移的方法包括:在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管,其中,該微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管,其中該橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極位于同一側;使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預先設置的接墊接觸;以及從原始襯底側用激光照射原始襯底,以從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管。采用橫向微發(fā)光二極管的一個效果在于,可以省略微發(fā)光二極管轉移之后的N金屬電極處理。
技術領域
本發(fā)明涉及用于顯示的微發(fā)光二極管,更具體地,涉及一種用于微發(fā)光二極管轉移的方法、一種用于制造微發(fā)光二極管裝置的方法、一種微發(fā)光二極管裝置以及一種包含微發(fā)光二極管裝置的電子設備。
背景技術
微發(fā)光二極管(Micro LED)技術是指在襯底上以高密度集成的微小尺寸的LED陣列。目前,微發(fā)光二極管技術正開始發(fā)展,工業(yè)界正期待有高品質的微發(fā)光二極管產品進入市場。高品質微發(fā)光二極管產品會對市場上已有的諸如LCD/OLED的傳統(tǒng)顯示產品產生深刻影響。
在制造微發(fā)光二極管的過程中,首先在施主晶圓上形成微發(fā)光二極管,接著將微發(fā)光二極管轉移到接受襯底上。接受襯底例如是顯示屏。
在制造微發(fā)光二極管過程中的一個困難在于如何將微發(fā)光二極管從施主晶圓上轉移到接受襯底上。在現有技術中,一般通過靜電拾取的方式來執(zhí)行所述轉移。在靜電拾取的過程中需要使用轉移頭陣列。轉移頭陣列的結構相對復雜,并需要考慮它的可靠性。制造轉移頭陣列需要額外的成本。在利用轉移頭陣列的拾取之前需要產生相位改變。另外,在使用轉移頭陣列的制造過程中,微發(fā)光二極管用于相位改變的熱預算受到限制,通常小于350℃,或者更具體地,小于200℃;否則,微發(fā)光二極管的性能會劣化。在使用轉移頭陣列的制造過程中通常需要兩次轉移,即,從施主晶圓到承載晶圓的轉移以及從承載晶圓到接受襯底的轉移。
美國專利US 8,333,860 B1公開了一種用于傳送微器件的傳送頭陣列,其中通過向傳送頭中的電極施加電壓來拾取微器件。該專利在此全部引入作為參考。
美國專利US 8,426,227B1公開了一種用于形成微發(fā)光二極管陣列的方法,其中,使用傳送頭來將微發(fā)光二極管陣列轉移到接受襯底上。該專利在此全部引入作為參考。
發(fā)明內容
本發(fā)明的一個目的是提供一種用于微發(fā)光二極管轉移的新技術方案。
根據本發(fā)明的一個實施例,提供了一種用于微發(fā)光二極管轉移的方法,包括:在激光透明的原始襯底上形成微發(fā)光二極管,其中,該微發(fā)光二極管是橫向微發(fā)光二極管,其中該橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極位于同一側;使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預先設置的接墊接觸;以及從原始襯底側用激光照射原始襯底,以從原始襯底剝離橫向微發(fā)光二極管。
優(yōu)選地,所述方法還包括:在接收襯底上設置各向異性導電層。優(yōu)選地,經由各向異性導電層使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預先設置的接墊接觸。優(yōu)選地,所述方法還包括:對各向異性導電層進行處理,使得橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上的接墊電連接。
優(yōu)選地,各向異性導電層是各向異性導電膜、各向異性導電漿和各向異性導電膠帶中的至少一種。
優(yōu)選地,利用重力作用,使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預先設置的接墊接觸。
優(yōu)選地,利用靜電力的作用,使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預先設置的接墊接觸。
優(yōu)選地,通過向所述接墊施加電壓來施加所述靜電力。
優(yōu)選地,橫向微發(fā)光二極管中包含磁性物質,以及利用電磁力的作用,使橫向微發(fā)光二極管的P電極和N電極與接收襯底上預先設置的接墊接觸。
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