[發明專利]等離子體蝕刻方法、等離子體蝕刻裝置、等離子體處理方法及等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201580000336.0
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN105103274A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 森口尚樹
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/683;H05H1/46
• 代理公司: 上海和躍知識產權代理事務所(普通合伙) 31239
• 代理人: 芮玉珠

1.一種等離子體蝕刻方法，包括：

第1工序，在惰性氣體的等離子體、即第1等離子體中將基板吸附于單極式靜電卡盤上之后，停止生成所述第1等離子體；和

第2工序，在鹵素類蝕刻氣體的等離子體、即第2等離子體中對所述基板進行了蝕刻之后，停止生成所述第2等離子體，

在所述第1工序中，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了正電壓的狀態下停止生成所述第1等離子體，

在所述第2工序中，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了負電壓的狀態下停止生成所述第2等離子體。

2.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，

在所述第1工序中，在停止生成所述第1等離子體之前，使從所述單極式靜電卡盤施加在所述基板的電壓的極性反轉。

3.根據權利要求1或者2所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，

在所述第2工序中，在停止生成所述第2等離子體之前，使從所述單極式靜電卡盤施加在所述基板的電壓的極性反轉。

4.根據權利要求1～3中任意一項所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，

在所述第1工序中，使施加在所述基板上的電壓的極性以一定周期反轉，將生成所述第1等離子體的期間設定為直至所述極性為正時為止的期間。

5.根據權利要求1～4中任意一項所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，

在所述第2工序中，使施加在所述基板上的電壓的極性以一定周期反轉，將生成所述第2等離子體的期間設定為直至所述極性為負時為止的期間。

6.根據權利要求1～5中任意一項所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，

所述惰性氣體為氬氣，所述蝕刻氣體為三氯化硼。

7.一種等離子體蝕刻裝置，具備：

腔室；

單極式靜電卡盤，其在所述腔室內對基板進行吸附；

第1等離子體生成部，其在所述腔室內生成惰性氣體的等離子體、即第1等離子體；

第2等離子體生成部，其在所述腔室內生成鹵素類蝕刻氣體的等離子體、即第2等離子體；和

控制部，對所述單極式靜電卡盤的驅動、所述第1等離子體生成部的驅動、以及所述第2等離子體生成部的驅動進行控制，

所述控制部在所述第1等離子體中驅動所述單極式靜電卡盤將所述基板吸附于所述單極式靜電卡盤上之后，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了正電壓的狀態下，停止由所述第1等離子體生成部生成等離子體，

所述控制部在所述第2等離子體中驅動所述單極式靜電卡盤，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了負電壓的狀態下，停止由所述第2等離子體生成部生成等離子體。

8.一種等離子體處理方法，包括：

第1工序，在惰性氣體的等離子體、即第1等離子體中將基板吸附于單極式靜電卡盤上之后，停止生成所述第1等離子體；和

第2工序，在不同于所述第1等離子體的第2等離子體中對所述基板進行了處理之后，停止生成所述第2等離子體，

在所述第1工序中，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了正電壓的狀態下停止生成所述第1等離子體，

在所述第2工序中，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了負電壓的狀態下停止生成所述第2等離子體。

9.根據權利要求8所述的等離子體處理方法，其特征在于，

在所述第1工序中，在停止生成所述第1等離子體之前，使從所述單極式靜電卡盤施加在所述基板上的電壓的極性反轉。

10.根據權利要求8或者9所述的等離子體處理方法，其特征在于，

在所述第2工序中，在停止生成所述第2等離子體之前，使從所述單極式靜電卡盤施加在所述基板上的電壓的極性反轉。

11.根據權利要求8～10中任意一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，

在所述第1工序中，使施加在所述基板上的電壓的極性以一定周期反轉，將生成所述第1等離子體的期間設定為直至所述極性為正時為止的期間。

12.根據權利要求8～11中任意一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，

在所述第2工序中，使施加在所述基板上的電壓的極性以一定周期反轉，將生成所述第2等離子體的期間設定為直至所述極性為負時為止的期間。

13.一種等離子體處理裝置，具備：

腔室；

單極式靜電卡盤，其在所述腔室內對基板進行吸附；

第1等離子體生成部，其在所述腔室內生成惰性氣體的等離子體、即第1等離子體；

第2等離子體生成部，其在所述腔室內生成不同于所述第1等離子體的第2等離子體；和

控制部，對所述單極式靜電卡盤的驅動、所述第1等離子體生成部的驅動、以及所述第2等離子體生成部的驅動進行控制，

所述控制部在所述第1等離子體中驅動所述單極式靜電卡盤將所述基板吸附于所述單極式靜電卡盤上之后，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了正電壓的狀態下，停止由所述第1等離子體生成部生成等離子體，

所述控制部在所述第2等離子體中驅動所述單極式靜電卡盤，在從所述單極式靜電卡盤向所述基板施加了負電壓的狀態下，停止由所述第2等離子體生成部生成等離子體。