[實用新型]一種多層半導(dǎo)體封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201521143330.2 | 申請日: | 2015-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN205355051U | 公開(公告)日: | 2016-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王偉 | 申請(專利權(quán))人: | 天津津泰锝科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/043;H01L23/06;H01L23/10;H01L23/367 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300401 天津市河*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多層 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:包括有基板和外殼,所述外殼設(shè)置有四層,由外到內(nèi)分別是第一鋁層、樹脂層、第二鋁層和模塑層,所述第一鋁層與樹脂層之間設(shè)置有第一膠粘層,所述樹脂層與第二鋁層之間設(shè)置有第二膠粘層,所述第二鋁層內(nèi)部設(shè)置有加強(qiáng)層,所述加強(qiáng)層的表面呈鋸齒狀設(shè)置,所述模塑層內(nèi)部設(shè)置有第二半導(dǎo)體芯片,所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)置有一個以上,所述第二半導(dǎo)體芯片之間為電性連接,所述第二半導(dǎo)體芯片之間為層疊式設(shè)置,所述模塑層下方設(shè)置有第一半導(dǎo)體芯片,所述第一半導(dǎo)體芯片與第二半導(dǎo)體芯片電性連接,所述第一半導(dǎo)體芯片的長度小于第二半導(dǎo)體芯片的長度,所述第一半導(dǎo)體芯片底部設(shè)置有接合墊,所述接合墊與基板電性連接,所述第一半導(dǎo)體芯片兩側(cè)設(shè)置有支撐構(gòu)件,所述基板底部設(shè)置有球焊盤,所述球焊盤與基板為電性連接,所述球焊盤上設(shè)置有連接端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:所述第一鋁層的厚度為0.02-0.03cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:所述樹脂層的厚度為0.03-0.05cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:所述第二鋁層的厚度為0.03-0.06cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:所述外殼的高度為0.5-0.6cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:所述基板的厚度為0.1-0.2cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:所述第二鋁層與模塑層為一體式設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種多層半導(dǎo)體封裝,其特征在于:所述支撐構(gòu)件的厚度為0.08-0.1cm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





