[實用新型]一種薄膜封裝的OLED屏體有效
| 申請號: | 201521135518.2 | 申請日: | 2015-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN205376530U | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 張國輝;王靜;趙楊;陳旭 | 申請(專利權)人: | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀麗 |
| 地址: | 065500 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 封裝 oled 屏體 | ||
技術領域
本實用新型涉及有機電致發光器件技術領域,具體涉及一種薄膜封裝的OLED屏體及其制備方法。
背景技術
經過近三十年的發展,薄膜封裝的OLED屏體(英文全稱為OrganicLightEmittingDevice,簡稱為OLED)作為下一代照明和顯示技術,具有色域寬、響應快、廣視角、無污染、高對比度、平面化等優點,已經在照明和顯示上得到一定程度的應用。典型的薄膜封裝的OLED屏體一般包括透明基板、透明陽極、反射電極以及設置在兩個電極之間的有機功能層。通常底發光OLED的陰極為平面金屬,具有良好的反射效果。
薄膜封裝的OLED屏體(OLED)包括有源電致發光器件(AMOLED)及無源電致發光器件(PMOLED),其中無源電致發光器件(PMOLED)具有陰極帶、有機層功能層以及陽極帶。PMOLED用來顯示文本和圖標時效率最高,適于制作小屏幕(對角線2-3英寸),常應用與移動電話、掌上電腦以及MP3播放器。隨著智能穿戴產品的普及,市場對PMOLED顯示屏提出了超薄、可彎曲的需求。通常對于彎曲屏體而言,需要采用薄膜封裝才能實現其彎曲。
然而由于無源薄膜封裝的OLED屏體PMOLED中存在隔離柱(Separatororrib)結構,其上端高低不平,因此采用薄膜封裝技術時,薄膜封裝層容易出現膜層厚度不連續導致密封效果差的問題。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是現有無源電致發光器件(PMOLED)采用薄膜封裝是容易出現破損導致封裝不嚴的問題,從而提供一種薄膜封裝的OLED屏體,該薄膜封裝的OLED屏體通過設置具有連續平面結構的平坦化層能夠使薄膜封裝層與其緊密貼合,從而能夠防止薄膜封裝層的破損問題。
為解決上述技術問題,本實用新型是通過以下技術方案實現的:
一種薄膜封裝的OLED屏體,包括導電基板和薄膜封裝層,所述的導電基板和所述薄膜封裝層形成的密閉空間內設置有機功能層,所述的有機功能層的上方設置有第二電極層,相鄰的第二電極層彼此絕緣,所述薄膜封裝層和所述第二電極層之間設置有平坦化層,所述平坦化層遠離所述第二電極層的一側形成連續平面結構,所述薄膜封裝層貼合設置在所述連續平面結構上。
相鄰的所述第二電極層之間通過隔離柱實現彼此絕緣,所述平坦化層的上端與所述隔離柱的頂端共同形成連續平面結構,所述薄膜封裝層貼合設置在所述連續平面結構上。
相鄰的所述第二電極層之間通過隔離柱實現彼此絕緣,所述平坦化層填充在隔離柱之間并覆蓋所述隔離柱后,其上端形成連續平面結構,所述薄膜封裝層貼合設置在所述連續平面結構上。
所述導電基板包括基板和設置在所述基板上的第一電極層,所述第一電極層上設置有若干形成連續網格結構的像素限定層,所述的網格結構中填充有機功能層,所述像素限定層上方設置有隔離柱,所述隔離柱將相鄰有機功能層上的第二電極層彼此隔離絕緣。
所述平坦化層的透光率>70%,折射率為1.4-2.3,所述的平坦化層為有機材料層或無機材料層。
所述的平坦化層為NPB、ALq3、TBD、PBD、CBP中的一種;或者為例如亞克力、泰富龍、聚酰亞胺中的一種。
所述的平坦化層和封裝層是由聚氫硅氮烷類材料、其衍生物或聚氫硅氮烷類材料組合物制備而成的一體結構。
聚氫硅氮烷類材料組合物包括聚氫硅氮烷類材料、光固化劑和光引發劑。
一種薄膜封裝的OLED屏體的制備方法,包括下述步驟:
S1、在導電基板上制作涂覆有機光刻膠層,曝光顯影使其形成具有開口結構的像素限定層;
S2、在像素限定層的上方通過涂膠、曝光、顯影、刻蝕的工藝制備隔離柱,采用蒸鍍掩膜板在具有開口結構的像素限定層中沉積有機功能層,在有機功能層的上方沉積第二電極層,所述的隔離柱使相鄰的所述第二電極層彼此絕緣;
S3、在所述第二電極層上方制作有機材料或無機材料的平坦化層,所述平坦化層填充在所述隔離柱之間,其上端與隔離柱上端形成連續平面結構,或,
所述平坦化層填充在隔離柱之間并覆蓋所述隔離柱后,其上端形成連續平面結構;
S4、在所述連續平面結構上方蒸鍍形成薄膜封裝層。
另一種薄膜封裝的OLED屏體的制備方法,包括下述步驟:
S1、在導電基板上制作涂覆有機光刻膠層,曝光顯影使其形成具有開口結構的像素限定層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





