[實(shí)用新型]微波輸出功率控制裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521133091.2
• 申請日: 2015-12-29
• 公開（公告）號: CN205320319U
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝路平;劉海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 京信通信技術(shù)（廣州）有限公司
• 主分類號: H05B6/68
• 分類號: H05B6/68
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 李巍

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微波控制技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種微波輸出功率控制裝 置。

背景技術(shù)

利用微波進(jìn)行加熱的裝置，比如微波爐等，是利用微波使食物中的水分子 產(chǎn)生高頻次移動，分子之間發(fā)生劇烈摩擦發(fā)熱，從而達(dá)到加熱(或烹飪)食物 的目的。目前市面上的微波加熱裝置均是使用磁控管產(chǎn)生2450MHz或915MHz 頻率微波信號。

移動通信中使用的大功率LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxide Semiconductor橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和GaN(GalliumNitride氮化鎵) 進(jìn)行微波輸出功率的調(diào)節(jié)，即使在極限工作情況下，壽命仍可以長達(dá)數(shù)百萬小 時。隨著工藝的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步，大功率LDMOS和GaN的飽和功率越來越 大、飽和效率越來越高，同時隨著半導(dǎo)體制造水平的提高及移動通信市場的規(guī) 模的迅猛擴(kuò)大，大功率LDMOS、GaN、VCO的價格也呈現(xiàn)急劇下降，基本可 以為消費(fèi)類產(chǎn)品接收。然而，傳統(tǒng)微波輸出功率的控制需要依賴在高壓環(huán)境下 工作的磁控管，使微波輸出功率的控制過程中安全性低。

實(shí)用新型內(nèi)容

基于此，有必要針對傳統(tǒng)技術(shù)微波輸出功率的控制過程中安全性低的技術(shù) 問題，提供一種微波輸出功率控制裝置。

一種微波輸出功率控制裝置，其特征在于，包括：微波發(fā)生器、衰減電路、 放大電路、控制器；所述微波發(fā)生器、衰減電路和放大電路的輸入端依次連接， 所述控制器分別連接所述微波發(fā)生器、衰減電路和放大電路；

所述微波發(fā)生器發(fā)生微波，通過所述衰減電路進(jìn)行衰減處理，再通過放大 電路進(jìn)行放大后輸出微波。

上述微波輸出功率控制裝置，通過將微波發(fā)生器、衰減電路、放大電路依 次連接，并使上述控制器分別連接所述微波發(fā)生器、衰減電路和放大電路，使 微波輸出功率可以依據(jù)衰減網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行控制，無需依賴高壓環(huán)境下工作的磁控管， 可以提高控制微波輸出功率的安全性；且利用衰減電路衰減值對上述微波輸出 功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，使上述微波輸出功率不會隨著上述微波發(fā)生功率的變化而變化， 可以長時間提高微波輸出功率的穩(wěn)定性，進(jìn)而可以提高相應(yīng)微波加熱裝置進(jìn)行 加熱的效果。

附圖說明

圖1為一個實(shí)施例的微波輸出功率控制裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為一個實(shí)施例的微波輸出功率控制裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為一個實(shí)施例的微波輸出功率控制方法流程示意圖；

圖4為一個實(shí)施例的過溫保護(hù)流程圖；

圖5為一個實(shí)施例的過流保護(hù)流程圖；

圖6為一個實(shí)施例的反射功率檢測流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型提供的微波輸出功率控制裝置的具體實(shí)施方式 進(jìn)行闡述。

參考圖1，圖1所示為一個實(shí)施例的微波輸出功率控制裝置結(jié)構(gòu)示意圖，包 括：微波發(fā)生器11、衰減電路13、放大電路15、控制器17；所述微波發(fā)生器 11、衰減電路13和、放大電路15的輸入端依次連接，所述控制器17分別連接 所述微波發(fā)生器11、衰減電路13和放大電路15的控制端；

所述微波發(fā)生器11發(fā)生微波，通過所述衰減電路13進(jìn)行衰減處理，再通 過放大電路15進(jìn)行放大后輸出微波，所述控制器17分別控制微波發(fā)生器11、 衰減電路13和放大電路15工作。

上述微波加熱功率可以為用戶根據(jù)其加熱需求通過微波加熱裝置輸入的加 熱功率。

上述放大電路可以包括n個放大器，第一放大器至第n放大器依次連接； 其中，n為正整數(shù)，第n-1、n級放大器既可是單個功率器件構(gòu)成，也可由多個 功率器件構(gòu)成，當(dāng)?shù)趎-1、n級由多個功率器件構(gòu)成時，Vgs(n-1)、Vgs(n)可為一 組電壓數(shù)據(jù)；第n-1級、n級功率器件可選取LDMOS(LaterallyDiffusedMetal OxideSemiconductor橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)，或GaN(GalliumNitride氮 化鎵)功率器件。上述微波發(fā)生器可由PLL(PhaseLockedLoop鎖相環(huán))或 VCO(VoltageControlledOscillator壓控振蕩器)或功率器件自激振蕩實(shí)現(xiàn)，一 般情況下，微波發(fā)生器發(fā)生微波為915±25MHz(兆赫茲)或2450±50MHz。