[實用新型]過壓保護電路及植入式有源電子醫(yī)療裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521127953.0
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN205360245U
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王震
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州景昱醫(yī)療器械有限公司
• 主分類號: A61N1/36
• 分類號: A61N1/36
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型實施例涉及植入式醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種過壓保護電路及植入式有源電子醫(yī)療裝置。

背景技術(shù)

植入式醫(yī)療電子設(shè)備正在取代傳統(tǒng)便攜式醫(yī)療器械成為醫(yī)療研發(fā)熱點，植入式醫(yī)療在恢復(fù)和監(jiān)測人體機能的健康數(shù)據(jù)方面更為方便，快捷，準(zhǔn)確性更高。

可充電植入式醫(yī)療器械需通過體外充電器對植入體內(nèi)的醫(yī)療設(shè)備進行充電，其通過電磁感應(yīng)的原理實現(xiàn)能量的傳輸。當(dāng)植入式醫(yī)療設(shè)備處于變化磁場中時，其耦合線圈兩端會產(chǎn)生感應(yīng)電壓，當(dāng)變化磁場足夠強時，感應(yīng)電壓會超過器件的應(yīng)力上限，會損壞植入設(shè)備中的電子器件，對人體產(chǎn)生危害，嚴(yán)重時會有生命危險。

實用新型內(nèi)容

針對上述技術(shù)問題，本實用新型實施例提供了一種過壓保護電路，以避免因過壓造成對植入式有源電子醫(yī)療裝置的損壞。

第一方面，本實用新型實施例提供了一種過壓保護電路，所述電路包括：第一MOS場效應(yīng)管、第二MOS場效應(yīng)管、第三MOS場效應(yīng)管、第四MOS場效應(yīng)管及橋式整流器，所述第一MOS場效應(yīng)管的源極和漏極中的一個與所述過壓保護電路的第一輸入端子連接，另一個與所述橋式整流器的第一輸入端子連接，所述第二MOS場效應(yīng)管的源極和漏極中的一個與所述過壓保護電路的第二輸入端子連接，另一個與所述橋式整流器的第二輸入端子連接，所述第一MOS場效應(yīng)管的柵極與所述第三MOS場效應(yīng)管的源極和漏極中的一個連接，所述第三MOS場效應(yīng)管的源極和漏極中的另一個與所述橋式整流器的非接地輸出端子連接，所述第二MOS場效應(yīng)管的柵極與所述第四MOS場效應(yīng)管的源極和漏極中的一個連接，所述第四MOS場效應(yīng)管的源極和漏極中的另一個與所述橋式整流器的非接地輸出端子連接，并且所述第三MOS場效應(yīng)管與所述第四MOS場效應(yīng)管的柵極與過壓檢測電路的輸出端連接。

進一步的，所述第一MOS場效應(yīng)管的柵極同與之連接的第三MOS場效應(yīng)管的源極或漏極之間串聯(lián)有第一限流電阻，所述第二MOS場效應(yīng)管的柵極同與之連接的第四MOS場效應(yīng)管的源極或漏極之間串聯(lián)有第二限流電阻。

進一步的，所述橋式整流器的輸入端口的兩個輸入端子之間并聯(lián)有第一保護電容。

進一步的，所述橋式整流器的輸出端口的兩個輸出端子之間并聯(lián)有第二保護電容。

進一步的，若所述過壓檢測電路未檢測到過壓，則所述第三MOS場效應(yīng)管及所述第四MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，而若所述過壓檢測電路檢測到過壓，則所述第三MOS場效應(yīng)管及所述第四MOS場效應(yīng)管截止。

進一步的，所述橋式整流器是單相橋式整流器。

第二方面，本實用新型實施例還提供了一種植入式有源電子醫(yī)療裝置，所述裝置包括如上第一方面所述的過壓保護電路。

本實用新型實施例提供的過壓保護電路及植入式有源電子醫(yī)療裝置，通過四個MOS場效應(yīng)管控制輸入信號與后級電路之間的通斷，實現(xiàn)了對后級電路的過壓保護，從而有效的避免了因過壓造成對植入式有源電子醫(yī)療裝置的損壞。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本實用新型的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1是本實用新型第一實施例提供的過壓保護電路的電路結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本實用新型第二實施例提供的植入式有源電子醫(yī)療裝置的結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本實用新型，而非對本實用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實用新型相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

第一實施例

本實施例提供了過壓保護電路的一種技術(shù)方案。參見圖1，在該技術(shù)方案中，所述過壓保護電路包括：第一MOS場效應(yīng)管Q1、第二MOS場效應(yīng)管Q2、第三MOS場效應(yīng)管Q3、第四MOS場效應(yīng)管Q4、橋式整流器M1、第一限流電阻R1、第二限流電阻R2、第一保護電容C1及第二保護電容C2。

示例性的，所述第一MOS場效應(yīng)管Q1的漏極與所述過壓保護電路的一個輸入端子連接，所述第一MOS場效應(yīng)管Q1的源極與所述橋式整流器M1的一個輸入端子連接，并且所述第一MOS場效應(yīng)管Q1的柵極通過所述第一限流電阻R1與所述第三MOS場效應(yīng)管Q3的源極連接。

示例性的，所述第二MOS場效應(yīng)管Q2的漏極與所述過壓保護電路的另一個輸入端子連接，所述第二MOS場效應(yīng)管Q2的源極與所述橋式整流器M1的另一個輸入端子連接，并且所述第二MOS場效應(yīng)管Q2的柵極通過所述第二限流電阻R2與所述第四MOS場效應(yīng)管Q4的源極連接。