[實用新型]固態存儲設備

有效

• 申請號: 201521124433.4
• 申請日: 2015-12-31
• 公開（公告）號: CN205302252U
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發明（設計）人: 沈金良
• 申請（專利權）人: 深圳市金勝電子科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 深圳市博太聯眾專利代理事務所(特殊普通合伙) 44354
• 代理人: 任轉英

技術領域

本實用新型涉及數據固態存儲技術領域，尤其是涉及一種固態存儲設備。

背景技術

固態存儲設備是用于來存放相關的數據、資料等信息，并由固態存儲設備上來運行操件系統，應用軟件等等，其廣泛應用于軍隊、工業控制、商用設備及民用設備等領域。

現有的固態存儲設備種類繁多，根據傳輸協議及外觀尺寸的不同，其讀寫性能不同等等。然而，上述固態存儲設備在針對小型化高性能的特殊應用環境下將無法使用，例如PCI-e系列固態存儲設備具有高讀寫性能，但無法小型化，SATA，USB系列固態硬盤可以小型化，但無法實現高讀寫性能。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種固態存儲設備，其不僅能實現高讀寫性能，而且體積較小，滿足小型化的需求。

為實現上述實用新型目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種固態存儲設備，用于連接于電腦主板上進行數據讀寫操作，所述固態存儲設備包括：PCB基板、集成封裝于所述PCB基板上的PCI-E晶圓、電源管理晶圓、閃存顆粒晶圓及SPIFlash晶圓，所述PCI-E晶圓、閃存顆粒晶圓及SPIFlash晶圓均連接于電源管理晶圓，所述PCI-E晶圓連接于電腦主板，且所述PCI-E晶圓還連接于閃存顆粒晶圓及SPIFlash晶圓。

進一步，在上述固態存儲設備中，所述電源管理晶圓的最大負載為15A。

進一步，在上述固態存儲設備中，所述PCI-E晶圓的最大傳輸速度為12GB/s。

進一步，在上述固態存儲設備中，所述PCI-E晶圓、電源管理晶圓、閃存顆粒晶圓及SPIFlash晶圓固定于PCB基板上并進行相互之間的電氣連接。

本實用新型固態存儲設備僅具有較高的讀寫性能，而且體積較小，滿足了小型化的需求。

附圖說明

圖1為本實用新型固態存儲設備的結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本實用新型，下面將參照相關附圖對本實用新型進行更全面的描述。附圖中給出了本實用新型的較佳實施例。但是，本實用新型可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內容的理解更加透徹全面。

請參閱圖1，本實用新型一種固態存儲設備100，用于連接于電腦主板200上進行數據讀寫操作，所述固態存儲設備100包括：PCB基板1、集成封裝于所述PCB基板1上的PCI-E（PeripheralComponentInterconnectExpress，周邊元件擴展接口）晶圓2、電源管理晶圓3、閃存顆粒晶圓4及SPIFlash（SerialPeripheralInterfaceFlash，串行外圍設備接口閃存）晶圓5，所述PCI-E晶圓2、閃存顆粒晶圓4及SPIFlash晶圓5均連接于電源管理晶圓3，所述PCI-E晶圓2連接于電腦主板200，且所述PCI-E晶圓2還連接于閃存顆粒晶圓4及SPIFlash晶圓5。

其中，所述電源管理晶圓3采用大電流的規格，可供最大負載為15A，用于供電給PCI-E晶圓2、閃存顆粒晶圓4及SPIFlash晶圓5。

所述PCI-E晶圓2用于數據和資料的中轉和管理，其分別連接電腦主板200及閃存顆粒晶圓4；所述PCI-E晶圓2通過固件對閃存顆粒晶圓4進行管理，如均衡寫入提高使用壽命，數據校驗比對，壞塊和加速等。本實施例中，所述PCI-E晶圓2采用PCI-eGen3x8的規格，最大傳輸速度是12GB/s，具有非常高的讀寫性能。

所述閃存顆粒晶圓4采用同步晶圓制造，用來存儲PCI-E晶圓2寫入的資料或數據，也可以通過PCI-E晶圓2將閃存顆粒晶圓4里的資料或數據讀取出來。

所述SPIFlash晶圓5用于存放PCI-E晶圓2工作所需要的固件，例如某些新型固態存儲設備特殊功能、新型固態存儲設備序列號。

晶圓是未封裝的電子器件芯片，本實用新型中，通過將未封裝的PCI-E晶圓2、電源管理晶圓3、閃存顆粒晶圓4及SPIFlash晶圓5固定于PCB基板1上并進行相互之間的電氣連接，最后再進行封裝，這樣就減小了存儲設備的體積，滿足了小型化的需求，同時還具有較高的數據資料讀寫性能。

請參閱圖1，本實用新型的固態存儲設備工作過程如下：