[實(shí)用新型]同面電極光電二極管陣列

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201521117539.1
• 申請(qǐng)日: 2015-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN205319156U
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張嵐;李元景;劉以農(nóng);胡海帆;李軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 同方威視技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種同面電極光電二極管陣列，其特征在于，包括多個(gè)同面電極光電二極管，每個(gè)同面電極光電二極管包括：

第一導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體襯底；

在第一導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體襯底上形成的第一導(dǎo)電型輕摻雜半導(dǎo)體層；

在所述第一導(dǎo)電型輕摻雜半導(dǎo)體層的上部形成的第二導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域，其中所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一導(dǎo)電型輕摻雜半導(dǎo)體層形成PN結(jié)二極管，并且第二電極從所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體層在光線入射側(cè)引出；

圍繞所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域的第一導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域，并且第一電極從所述第一導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域在光線入射側(cè)引出；以及

設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域和所述第一導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域之間的溝槽結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，所述溝槽結(jié)構(gòu)是由一種絕緣材料或多種復(fù)合絕緣材料，或光線反射材料填充溝槽而形成的。

3.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，所述溝槽結(jié)構(gòu)是由與第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體材料填充溝槽而形成的。

4.如權(quán)利要求2所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，所述溝槽結(jié)構(gòu)包括且在所述溝槽周圍形成第一導(dǎo)電型的重?fù)诫s區(qū)域。

5.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，所述溝槽結(jié)構(gòu)包括未填充的溝槽，且在溝槽底部及側(cè)壁覆蓋一層絕緣層、多層復(fù)合絕緣層或光線反射材料。

6.如權(quán)利要求5所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，在溝槽周圍形成第一導(dǎo)電型的重?fù)诫s區(qū)域，在溝槽底部及側(cè)壁覆蓋一層絕緣層、多層復(fù)合絕緣層或光線反射材料。

7.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，所述溝槽結(jié)構(gòu)包括溝槽，且在溝槽底部及側(cè)壁覆蓋一種絕緣材料，或多種復(fù)合絕緣材料，或光線反射材料，然后由單晶半導(dǎo)體材料或多晶半導(dǎo)體材料填充溝槽。

8.如權(quán)利要求7所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，填充溝槽的單晶半導(dǎo)體材料或多晶半導(dǎo)體材料，相對(duì)于第二電極連接到高電位。

9.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，在第二導(dǎo)電型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域的上部形成較薄的第一導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域或第二導(dǎo)電型輕摻雜區(qū)域，且四周被所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域包圍。

10.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，在所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域下部形成連續(xù)第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域，或僅在第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域下方設(shè)置一段第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域。

11.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，在所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域下面，形成連續(xù)的絕緣材料區(qū)域，或僅在所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域下方設(shè)置一段絕緣材料區(qū)域。

12.如權(quán)利要求10或11所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，所述第一導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域形成為溝槽結(jié)構(gòu)，向下延伸至所述第一導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域或絕緣材料區(qū)域，并與之連接。

13.如權(quán)利要求1所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，在所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域下面，形成連續(xù)帶絕緣層的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，或僅在所述第二導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域下方設(shè)置一段帶絕緣層的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，該傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)由絕緣材料或半導(dǎo)體材料構(gòu)成。

14.如權(quán)利要求13所述的同面電極光電二極管陣列，其特征在于，所述第一導(dǎo)電型重?fù)诫s區(qū)域?yàn)闇喜劢Y(jié)構(gòu)，向下延伸至帶絕緣層的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體材料區(qū)域，并與之連接。