[實用新型]一種可校正IQ失配的混頻器電路有效

申請號：	201521116712.6	申請日：	2015-12-29
公開（公告）號：	CN205283496U	公開（公告）日：	2016-06-01
發明（設計）人：	趙寅升;沈劍均	申請（專利權）人：	江蘇星宇芯聯電子科技有限公司
主分類號：	H03D7/16	分類號：	H03D7/16
代理公司：	南京天華專利代理有限責任公司 32218	代理人：	蔣真
地址：	210000 江蘇省南京***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種校正 iq 失配混頻器電路
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【權利要求書】：

1.一種可校正IQ失配的混頻器電路，其特征在于所述混頻器電路包括：

I路信號通道上的第一級混頻器電路，Q路信號通道上的第二級混頻器電路，以及分別給第一級混頻器電路與第二級混頻器電路提供直流偏置的偏置電路。

2.如權利要求1所述的可校正IQ失配的混頻器電路，其特征在于

所述第一級混頻器電路，射頻輸入信號高電平為V_RFIP,射頻輸入信號低電平為V_RFIN；本振輸入信號高電平為V_LOIP,本振輸入信號低電平為V_LOIN；直流偏置輸入信號為V_BI；中頻輸出信號高電平為V_IFIP,中頻輸出信號低電平為V_IFIN；

所述第二級混頻器電路，射頻輸入信號高電平為V_RFIP,射頻輸入信號低電平為V_RFIN；本振輸入信號高電平為V_LOQP,本振輸入信號低電平為V_LOQN；直流偏置輸入信號為V_BQ；中頻輸出信號高電平為V_IFQP,中頻輸出信號低電平為V_IFQN；

所述的第一級混頻器電路和第二級混頻器電路，高電平輸入電容CP的兩端分別與射頻輸入信號高電平V_RFIP和第一晶體管M1、第二晶體管M2、第五晶體管M5、第六晶體管M6的漏端相連，低電平輸入電容CN的兩端分別與射頻輸入信號低電平V_RFIN和第三晶體管M3、第四晶體管M4、第七晶體管M7、第八晶體管M8的漏端相連；第一級混頻器電路本振輸入信號高電平 V_LOIP通過第一電容C1和第一電阻R1組成的耦合電路與第一晶體管M1、第四晶體管M4的柵極相連，第一級混頻器電路本振輸入信號低電平V_LOIN通過第二電容C2和第二電阻R2組成的耦合電路與第二晶體管M2、第三晶體管M3的柵極相連；第二級混頻器電路本振輸入信號高電平V_LOQP通過第三電容C3和第三電阻R3組成的耦合電路與第五晶體管M5、第八晶體管M8的柵極相連，第二級混頻器電路本振輸入信號低電平V_LOQN通過第四電容C4和第四電阻R4組成的耦合電路與第六晶體管M6、第七晶體管M7的柵極相連；第一級混頻器電路中頻輸出信號高電平V_IFIP與第一晶體管M1、第三晶體管M3的源端相連，第一級混頻器電路中頻輸出信號低電平V_IFIN與第二晶體管M2、第四晶體管M4的源端相連；第二級混頻器電路中頻輸出信號高電平V_IFQP與第五晶體管M5、第七晶體管M7的源端相連，第二級混頻器電路中頻輸出信號低電平V_IFQN與第六晶體管M6、第八晶體管M8的源端相連。

3.如權利要求2所述的可校正IQ失配的混頻器電路，其特征在于分別給第一級混頻器電路與第二級混頻器電路提供直流偏置的偏置電路為：電流源IBI與電阻RBI產生的參考電壓 V_BI<5>，分別通過開關SWHI<1-4>連接至V_BI<1-4>，參考地通過開關SWLI<1-4>連接至V_BI<1-4>；電流源IBQ與電阻RBQ產生的參考電壓V_BQ<5>，分別通過開關SWHQ<1-4>連接至V_BQ<1-4>，參考地通過開關SWLQ<1-4>連接至V_BQ<1-4>；直流偏置電壓V_BI<1-4>、V_BQ<1-4>在參考電壓V_BI<5>、V_BQ<5>與參考地之間切換，實現開關的選通功能；通過控制IQ兩路開關的選通，實現混頻器IQ失配的校正。