[實用新型]基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊、組件及相控陣天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521113735.1
• 申請日: 2015-12-28
• 公開（公告）號: CN205232208U
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 姚建可;丁慶;程子凡
• 申請（專利權）人: 深圳市華訊方舟微電子科技有限公司;深圳市華訊方舟科技有限公司
• 主分類號: H04B1/04
• 分類號: H04B1/04
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 武玉琴;劉國偉

1.基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其特征在于，包括第一推 動級放大器、功分網絡、四個發(fā)射通道、電源模塊和波控微波子板；

射頻信號依次經所述第一推動級放大器和所述功分網絡后分成四路，四路 射頻信號分別送至四個所述發(fā)射通道；

各所述發(fā)射通道包括數(shù)字移相器和發(fā)射天線，所述波控微波子板分別連接 各發(fā)射通道的所述數(shù)字移相器。

2.根據權利要求1所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，還在所述數(shù)字移相器上集成有數(shù)字衰減器，所述波控微波子板還分 別連接各所述數(shù)字衰減器。

3.根據權利要求2所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，還在各所述發(fā)射通道中設有第二推動級放大器，所述第二推動級放 大器的輸入端連接所述數(shù)字移相器的輸出端，第二推動級放大器的輸出端連接 所述發(fā)射天線。

4.根據權利要求3所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，還在各所述發(fā)射通道中設有末級放大器，所述末級放大器的輸入端 連接所述第二推動級放大器的輸出端，末級放大器的輸出端連接所述發(fā)射天線。

5.根據權利要求4所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，所述末級放大器由超寬帶功率放大器芯片制成。

6.根據權利要求3所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，所述第二推動級放大器由超寬帶功率放大器芯片制成。

7.根據權利要求2所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，所述第一推動級放大器由超寬帶功率放大器芯片制成。

8.根據權利要求2所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，所述數(shù)字移相器為六位數(shù)字移相器。

9.根據權利要求2所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射模塊，其 特征在于，所述射頻發(fā)射模塊的工作波段為K波段或Ka波段。

10.根據權利要求2-9任一項所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā) 射模塊，其特征在于，所述波控微波子板包括檢測單元、計算單元、驅動電路 和接口電路，所述接口電路分別連接到上位機、所述檢測單元和所述計算單元； 所述檢測單元分別連接至所述數(shù)字移相器、所述數(shù)字衰減器和所述計算單元； 所述計算單元連接所述驅動電路。

11.基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射組件，其特征在于，包括兩個 如權利要求10所述的射頻發(fā)射模塊，兩個所述的射頻發(fā)射模塊面對面互為鏡像 地貼合在一起。

12.根據權利要求11所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射組件， 其特征在于，兩個所述射頻發(fā)射模塊之間設有導熱孔。

13.根據權利要求12所述的基于超寬帶功率放大器芯片的射頻發(fā)射組件， 其特征在于，所述導熱孔中設有導熱棒。

14.相控陣天線，其特征在于，所述相控陣天線包括n組如權利要求11-13 任一項所述的射頻發(fā)射組件，n為8或8的整數(shù)倍；

各所述射頻發(fā)射組件并排固定在一外殼中，以形成所述相控陣天線。