[實用新型]靜電防護電路及其可控硅整流器

有效

• 申請號: 201521095906.2
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN205376532U
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 朱瑞;陳曉峰;李建峰
• 申請（專利權）人: 大唐恩智浦半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L27/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種用于靜電防護的可控硅整流器，其特征在于包括：

襯底；

深埋層，位于該襯底之上；

第一類型阱區，位于該深埋層之上，包括互相間隔的第一子阱區和第二子阱區；

第二類型阱區，位于該深埋層之上且介于該第一子阱區和該第二子阱區之間以將該第一子阱區和該第二子阱區隔離，其中該第二類型阱區的橫向尺寸與該可控硅整流器的觸發電壓和保持電壓關聯；

第一類型摻雜區，位于該第一類型阱區的表面，包括第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區和第四摻雜區，該第一摻雜區和該第二摻雜區位于該第一類型阱區的表面的兩側，該第三摻雜區和該第四摻雜區分別與該第二類型阱區的頂部兩側相鄰；

第二類型摻雜區，位于該第一類型阱區的表面，包括第五摻雜區和第六摻雜區，該第五摻雜區間隔地位于該第一摻雜區和該第三摻雜區之間，該第六摻雜區間隔地位于該第二摻雜區和該第四摻雜區之間。

2.如權利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，還包括場氧化層，分別覆蓋該第一摻雜區和該第五摻雜區之間、該第五摻雜區和該第三摻雜區之間，該第四摻雜區和該第六摻雜區之間、該第六摻雜區和該第二摻雜區之間的第一類型阱區的表面，以及覆蓋該第二類型阱區的表面。

3.如權利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，該第一摻雜區和該第五摻雜區連接該可控硅整流器的陽極端和陰極端之一，該第六摻雜區和該第四摻雜區連接該可控硅整流器的陽極端和陰極端之一。

4.如權利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，該第一類型阱區為P阱，該第二類型阱區為N阱，第一類型摻雜區為P型摻雜區，該第二類型摻雜區N型摻雜區。

5.如權利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，該第一類型阱區為N阱，該第二類型阱區為P阱，第一類型摻雜區為N型摻雜區，該第二類型摻雜區P型摻雜區。

6.如權利要求4所述的可控硅整流器，其特征在于，該襯底為P型襯底，該深埋層為N型深埋層。

7.如權利要求5所述的可控硅整流器，其特征在于，該襯底為N型襯底，該深埋層為P型深埋層。

8.如權利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，該第二類型阱區的橫向尺寸與該可控硅整流器的觸發電壓滿足如下公式：

VPT=qNA2ϵsLA]]>

其中q為電子電荷，N_A為寬度為L_A的區域內的阱摻雜濃度，ε_s為硅的介電常數。

9.一種靜電防護電路，其特征在于包括如權利要求1-8任一項所述的可控硅整流器，該可控硅整流器連接在兩電壓端之間。

10.如權利要求9所述的靜電防護電路，其特征在于，還包括二極管，連接在輸入/輸出端口與該電壓端之間。