[實用新型]一種消影導電玻璃

有效

• 申請號: 201521092793.0
• 申請日: 2015-12-25
• 公開（公告）號: CN205241512U
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 李剛;蔣繼文;金克武;曹欣;張寬翔;楊勇;姚婷婷;王蕓;徐根保
• 申請（專利權）人: 蚌埠玻璃工業設計研究院
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 楊晉弘

技術領域

本實用新型涉及觸摸屏領域，具體是一種用于電容式觸摸屏的消影導電玻璃。

背景技術

公知的，電容式觸摸屏所使用的ITO玻璃是一種透明導電玻璃，一般是在玻璃基板上加一層透明導電膜構成，其生產工藝是在超薄玻璃基板上通過物理沉積的方式沉積ITO透明導電膜。液晶顯示器專用ITO導電玻璃，還會在鍍ITO層之前，鍍上一層SiO₂阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內液晶里擴散。

通常電容式觸摸屏使用單面ITO鍍膜玻璃，經過刻蝕將ITO導電膜做成透明電極。但是由于ITO導電膜的折射率與玻璃基板的折射率不同，ITO導電膜折射率一般為1.9～2.0，而玻璃基板的折射率約為1.5，這樣就會導致顯示區內電極與縫隙的反射與透射有較大區別，使電極與縫隙清晰可見，影響顯示效果和外觀；而且觸摸屏尺寸越大，ITO導電膜層厚度和電極寬度就越大，電極與縫隙的視覺差距就越明顯；另外，在光線比較明亮的環境中，特別是背后有窗戶、燈光的環境中，屏幕會由于ITO電極的反射光太強而無法看清。

目前，通常有兩種方法來解決上述問題，第一種是采用減少縫隙的方法來降低電極與縫隙之間的視覺差距，這種消影方法受光刻設備的限制，一般適用于小尺寸的觸摸屏，對于20英寸以上屏幕的觸摸屏如采用微小縫隙的方法，設備投資與制造成本高、產品合格率低。第二種方法是先將Nb₂O₅或TiO₂等高折射率材料通過磁控濺射鍍到玻璃基板表面，然后再覆上SiO₂等低折射率材料層，最后再覆上ITO層。實際制作過程中，在鍍完高折射率材料后，通過微調ITO方阻值的方法來獲得較好的消影效果，但是這樣極易造成消影效果合格時，ITO的方阻值不達標；或者是ITO的方阻值達標時，消影效果不合格，也就是電容式觸摸屏無法兼顧ITO方阻值和消影效果，良品率低，不能滿足市場需求。

為了解決第二種方法存在的缺點，《一種電容觸摸屏用的消影結構》（公告號CN203689494U）的專利文件公開了一種消影結構，在玻璃基板上依次堆疊SiO₂膜層、ITO膜層和Si₃N₄膜層；制作時，先將ITO膜層布置于玻璃基板上，保證了ITO的方阻值一定，然后再根據ITO方阻和成膜效果去調節Si₃N₄膜層的消影效果，從而使得ITO上的線路不明顯。但是在實際生產中，沉積SiO₂膜和Si₃N₄膜，通入的是氧氣和氮氣兩種不同的反應氣體，所以需要兩個以上的腔室來沉積相應的膜層，或者沉積SiO₂膜后，先抽干O₂，再通入N₂，這樣就會造成消影導電玻璃制作成本的增加。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種消影導電玻璃，該消影導電玻璃在保證顯示效果的前提下，能夠降低工藝難度，減少生產成本，提高生產效率。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種消影導電玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次設有SiO₂膜層、ITO膜層與高折射率膜層，所述高折射率膜層為Nb₂O₅膜層或TiO₂膜層。

進一步的，所述玻璃基板采用鈉鈣基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板的厚度為0.3mm～1.1mm。

進一步的，所述Nb₂O₅膜層或TiO₂膜層的厚度為5nm～30nm。

進一步的，所述SiO₂膜層的厚度為10nm～100nm。

進一步的，所述ITO膜層的厚度為10nm～50nm。

本實用新型的有益效果是，采用Nb₂O₅膜層或TiO₂膜層作為高折射率膜層，在滿足ITO方阻值的同時消除蝕刻陰影，保證顯示效果；由于采用氧化物膜層，在沉積時只需要通入氧氣這一種反應氣體，更換靶材就可以實現不同膜層的沉積，在一個腔室里就能夠完成，無需增加額外濺射腔室，減少生產設備的投入降低成本；另外，對不同膜層可以連續沉積，不需要經過抽放氣環節，降低工藝難度，提高了生產效率。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明：