[實用新型]一種具有源端內嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件

有效

• 申請號: 201521063335.4
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN205211752U
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發明（設計）人: 梁海蓮;馬藝珂;顧曉峰;丁盛
• 申請（專利權）人: 江南大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/423;H01L23/60
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• 代理人: 暫無信息

1.一種具有源端內嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，其包括LDMOS-SCR結構的ESD電流泄放 路徑和源端內嵌叉指NMOS的阻容耦合電流泄放路徑，以提高器件的電流導通均勻性和開啟速度，增強器 件的ESD魯棒性，提高維持電壓，其特征在于：主要由P襯底(101)、P外延(102)、P阱(103)、N阱(104)、 第一N+注入區(106)、第二N+注入區(107)、第一P+注入區(108)、第三N+注入區(109)、第四N+注入區(110)、 第二P+注入區(111)、第五N+注入區(113)、第一場氧隔離區(105)、第二場氧隔離區(112)、第三場氧隔離 區(121)、第四場氧隔離區(114)、第一多晶硅柵(116)、第二多晶硅柵(118)、第三多晶硅柵(120)、第一薄柵 氧化層(115)、第二薄柵氧化層(117)和第三薄柵氧化層(119)構成；

所述P外延(102)在所述P襯底(101)的表面區域；

在所述P外延(102)的表面區域從左到右依次設有所述P阱(103)和所述N阱(104)，所述P阱(103)的左 側邊緣與所述P外延(102)的左側邊緣相連，所述P阱(103)的右側與所述N阱(104)的左側相連，所述N阱 (104)的右側與所述P外延(102)的右側邊緣相連；

在所述P阱(103)的表面區域從左到右依次設有所述第一場氧隔離區(105)、所述第一N+注入區(106)、 所述第一多晶硅柵(116)、所述第一薄柵氧化層(115)、所述第二N+注入區(107)、所述第一P+注入區(108)、 所述第三N+注入區(109)、所述第二多晶硅柵(118)、所述第二薄柵氧化層(117)和所述第四N+注入區(110)， 所述第一多晶硅柵(116)在所述第一薄柵氧化層(115)的上方，所述第二多晶硅柵(118)在所述第二薄柵氧化層 (117)的上方；

所述第一場氧隔離區(105)的左側與所述P阱(103)的左側邊緣相連，所述第一場氧隔離區(105)的右側 與所述第一N+注入區(106)的左側相連，所述第一N+注入區(106)的右側與所述第一薄柵氧化層(115)的左 側相連，所述第一薄柵氧化層(115)的右側與所述第二N+注入區(107)的左側相連，所述第二N+注入區(107) 的右側與所述第一P+注入區(108)的左側相連，所述第一P+注入區(108)的右側與所述第三N+注入區(109) 的左側相連，所述第三N+注入區(109)的右側與所述第二薄柵氧化層(117)的左側相連，所述第二薄柵氧化 層(117)的右側與所述第四N+注入區(110)的左側相連；

在所述N阱(104)的表面區域從左到右依次設有所述第三場氧隔離區(121)、所述第二P+注入區(111)、 所述第二場氧隔離區(112)、所述第五N+注入區(113)和所述第四場氧隔離區(114)；

所述第三多晶硅柵(120)在所述第三薄柵氧化層(119)的上方，所述第三薄柵氧化層(119)橫跨在所述P 阱(103)和所述N阱(104)的表面部分區域，所述第三薄柵氧化層(119)的左側與所述第四N+注入區(110)的右 側相連，所述第三薄柵氧化層(119)的右側與所述第三場氧隔離區(121)的左側相連；

所述第三場氧隔離區(121)的右側與所述第二P+注入區(111)的左側相連，所述第二P+注入區(111)的右 側與所述第二場氧隔離區(112)的左側相連，所述第二場氧隔離區(112)的右側與所述第五N+注入區(113)的 左側相連，所述第五N+注入區(113)的右側與所述第四場氧隔離區(114)的左側相連，所述第四場氧隔離區 (114)的右側與所述N阱(104)的右側邊緣相連；

所述第一N+注入區(106)與第一金屬1(122)相連，所述第一多晶硅柵(116)與第二金屬1(123)相連，所 述第二N+注入區(107)與第三金屬1(124)相連，所述第一P+注入區(108)與第四金屬1(125)相連，所述第三 N+注入區(109)與第五金屬1(126)相連，所述第二多晶硅柵(118)與第六金屬1(127)相連，所述第三多晶硅 柵(120)與第七金屬1(128)相連，所述第二P+注入區(111)與第八金屬1(129)相連，所述第五N+注入區(113) 與第九金屬1(130)相連，所述第二金屬1(123)、所述第三金屬1(124)、所述第四金屬1(125)、所述第五金 屬1(126)、所述第六金屬1(127)和所述第七金屬1(128)均與第二金屬2(132)相連；

所述第一金屬1(122)與第一金屬2(131)相連，用作器件的陰極端；

所述第八金屬1(129)和所述第九金屬1(130)均與第三金屬2(133)相連，用作器件的陽極端。