[實用新型]一種溫度梯度晶體生長上保溫屏

有效

• 申請號: 201521060412.0
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN205329207U
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 黃小衛;楊敏;趙慧彬;柳祝平
• 申請（專利權）人: 福建鑫晶精密剛玉科技有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 楊依展

技術領域

本實用新型涉及一種人工晶體生長高溫設備，屬于晶體生長溫場設計技術領域，具體是一 種溫度梯度晶體生長上保溫屏。

背景技術

隨著人工晶體科學技術的發展，對晶體材料的要求越來越高，這也意味著對晶體材料的生 長工藝和生長設備的要求越來越高。晶體生長工藝的關鍵在于高溫設備下對晶體溫場的控制。

大尺寸和優質的晶體的生長，要解決溫度控制和溫度在熔體和固相中的梯度問題，所以最 重要的是冷坩堝中溫度場的分布。但在冷坩堝內生長晶體時，熔體的高溫度導致從其表面發生 很大的熱損失，使晶體系統的平衡變得不穩定，因此，對晶體生長有不利的影響。傳統設備上 保溫屏采用未進行梯度分層的多層結構，此結構由于未進行梯度分層在熱輻射過程中對晶體生 長上部不能進行有效的溫度梯度控制，使晶體在坩堝中生長時的縱橫向溫度梯度未有效形成， 不能實現對溫度梯度的精確控制從而無法達到生長出優良品質晶體的效果。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術的不足之處，提供了一種結構設計簡單，并能獲得晶 體穩定生長的溫度梯度晶體生長上保溫屏。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種溫度梯度晶體生長上保溫屏，包括若干圓環形的鉬保溫片和圓環形的懸掛支撐片，該 若干鉬保溫片上下平行間隔層疊布置且圓心位于同一直線上；該若干鉬保溫片外徑相同且內徑 由上層到下層依次由大變小；該懸掛支撐片位于最上層的鉬保溫片之上且與該若干鉬保溫片平 行間隔層疊布置，懸掛支撐片的外徑大于各鉬保溫片的外徑；還包括第一組支撐鉬桿和第二組 支撐鉬桿，該第一組支撐鉬桿穿過各鉬保溫片且通過第一組鉬螺母與各鉬保溫片固接；該第二 組支撐鉬桿穿過懸掛支撐片和各鉬保溫片且通過第二組鉬螺母與懸掛支撐片和各鉬保溫片固 接。

一實施例中：所述若干鉬保溫片為14～16個。

一實施例中：相鄰兩層的所述鉬保溫片的內徑之差為4～6mm。

一實施例中：所述懸掛支撐片的內徑大于最上層鉬保溫片的內徑。

一實施例中：所述若干鉬保溫片的間距相等。

一實施例中：所述懸掛支撐片與最上層的鉬保溫片的距離大于各層鉬保溫片的間距。

一實施例中：該第一組支撐鉬桿為3～5個，該3～5個第一組支撐鉬桿周向間隔布置；該 第二組支撐鉬桿為43～5個，該3～5個第二組支撐鉬桿周向間隔布置。

一實施例中：所述第一組支撐鉬桿位于第二組支撐鉬桿內側。

一實施例中：所述鉬保溫片上均設有位置相互對應的第一組安裝孔，所述懸掛支撐片和鉬 保溫片上均設有位置相互對應的第二組安裝孔；所述第一組支撐鉬桿穿過第一組安裝孔且通過 第一組鉬螺母與各鉬保溫片固接；所述第二組支撐鉬桿穿過第二組安裝孔且通過第二組鉬螺母 與懸掛支撐片和各鉬保溫片固接。

本技術方案與背景技術相比，它具有如下優點：

1.本實用新型采用溫度梯度多層圓環形鉬保溫片的結構，均衡了冷坩堝內的保溫性，利用 了鉬材質熔點高、熱傳導性能好的特點，進一步保證了晶體生長的高溫環境且成本更低。

2.溫度梯度多層圓環形鉬保溫片的間距組合，保證了冷坩堝內晶體生長熱輻射時產生的縱 向與橫向間的溫度梯度差，以能更準確的把握晶體在控徑時的精確度，從而解決了晶體生長過 程中溫度偏差不均勻而導致的偏心生長且無法確保晶體品質的穩定。

3.各層鉬保溫片間、鉬保溫片與懸掛支撐片間采用支撐鉬桿和鉬螺母固接，鉬桿和鉬螺母 剛性好，能夠有力地支撐各保溫片和懸掛支撐片并使其相互之間的間距得以固定，在晶體生長 的高溫環境中支撐鉬桿和鉬螺母也不會發生形變、脆化或裂開，能夠有效避免各層鉬保溫片塌 陷堆積，防止失去溫度梯度，從而進一步保障晶體生長過程中品質的穩定；且造價低，制作容 易，有利于大規模生產。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

圖1為本實用新型的溫度梯度晶體生長上保溫屏俯視示意圖。

圖2為本實用新型的溫度梯度晶體生長上保溫屏縱剖面示意圖，其中圓環形的鉬保溫片和 懸掛支撐片中央缺失部分用虛線表示。

附圖標記：鉬保溫片1，懸掛支撐片2，第一組支撐鉬桿3，第一組鉬螺母4，第二組支撐 鉬桿5，第二組鉬螺母6。

具體實施方式