[實用新型]一種晶體生長的坩堝蓋

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521058452.1
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN205313718U
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設計）人: 黃小衛(wèi);楊敏;趙慧彬;柳祝平
• 申請（專利權）人: 福建鑫晶精密剛玉科技有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 泉州勁翔專利事務所(普通合伙) 35216
• 代理人: 林楓

技術領域

本實用新型涉晶體生長用的坩堝，尤其涉及的是一種晶體生長的坩堝蓋。

背景技術

隨著人工晶體科學技術的發(fā)展，對晶體材料的要求越來越高，這也意味著對晶體材料的生長工藝和生長設備的要求越來越高。晶體生長工藝的關鍵在于高溫設備下對晶體溫場的控制。

大尺寸和優(yōu)質晶體的生長，要解決溫度控制和溫度在熔體和固相中的梯度問題，所以最重要的是冷坩堝中溫度場的分布。但在冷坩堝內生長晶體時，熔體的高溫度導致從其表面發(fā)生很大的熱損失，使晶體系統(tǒng)的平衡變得不穩(wěn)定，因此，對晶體生長有不利的影響。傳統(tǒng)設備的坩堝蓋多采用多層疊加保溫結構，此結構由于熱輻射時會帶走不同程度的熱量，從而使晶體在坩堝中生長時的縱橫向溫場溫差過大，不能實現對溫度梯度的精確控制。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種結構簡單，均衡保溫性能，提高晶體生長質量的晶體生長的坩堝蓋。

為實現上述目的，本實用新型的技術解決方案是：一種晶體生長的坩堝蓋，由圓形鉬板壓制而成的帽子狀蓋體，所述蓋體分為兩層，包括頂層、底層以及圓筒狀的過渡段，在頂層的中間開有一通孔。

優(yōu)選的，所述頂層高于底層40mm。

優(yōu)選的，所述過渡段的內直徑為230mm，所述頂層的外直徑380mm，所述通孔的直徑為100mm。

優(yōu)選的，所述頂層的厚度為4mm，所述底層的厚度為6mm。

通過采用上述的技術方案，本實用新型的有益效果是：本結構采用單層圓形鉬板壓制而成，均衡冷坩堝內的保溫性；鉬板具有韌性強、成本低、熱傳導性能好等特點，有效保證晶體生長的高溫環(huán)境；同時，單層鉬板結構，還能使冷坩堝內晶體生長熱輻射時產生縱向與橫向的溫度梯度差，以更準確的把握晶體在控徑時的精確度，從而解決了晶體生長過程中溫度偏差過大而產生的長角問題。本結構采用由鉬板制成帽子狀的雙層結構，頂層與底層的間距確保晶體生長引晶及放肩過程有足夠的提拉空間，確保了晶體生長放肩角度而保證晶體生長的品質。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的剖視圖；

（1、蓋體；2、頂層；3、底層；4、過渡段；5、通孔）。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例來進一步說明本實用新型。

本實用新型中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或后等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本創(chuàng)作。

如圖1-2所示，一種晶體生長的坩堝蓋，是由一厚度為6mm的圓形鉬板壓制而成的帽子狀蓋體1。所述蓋體1分為兩層，包括頂層2、底層3以及圓筒狀的過渡段4。頂層2中間開有一通孔5，該通孔5的直徑為100mm，頂層2的外直徑長為238mm。所述過渡段4的高度為40mm，內直徑為230mm，外直徑為238mm。所述底層3的內直徑為230mm，外直徑長為380mm。在壓制成上述帽子狀的蓋體1后，還通過打磨或其他加工方式，使得頂層2和過渡段4的厚度變?yōu)?mm，所述底層6仍然保持6mm的厚度。

以上所述的，僅為本實用新型的較佳實施例而已，不能限定本實用新型實施的范圍，凡是依本實用新型申請專利范圍所作的均等變化與裝飾，皆應仍屬于本實用新型涵蓋的范圍內。