[實用新型]一種信號整形電路

有效

• 申請號: 201521052527.5
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號: CN205179006U
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: 何克勤
• 申請（專利權）人: 西安森派電子技術有限公司
• 主分類號: H03K5/01
• 分類號: H03K5/01
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 景麗娜

1.一種信號整形電路，其特征在于：包括控制器(1)和與所述控制器(1)輸出端相接的 信號整形單元(2)，所述信號整形單元(2)包括與所述控制器(1)輸出端相接的采樣保持電 路(2-1)和與所述采樣保持電路(2-1)相接的電壓跟隨電路(2-2)；所述采樣保持電路(2-1) 包括采樣芯片、保持電容以及與所述采樣芯片和所述保持電容均連接的電荷泄放開關；所 述電荷泄放開關與所述控制器(1)輸出端相接，所述信號整形單元(2)的數目為一個或多 個。

2.按照權利要求1所述的一種信號整形電路，其特征在于：所述采樣芯片包括芯片U1， 所述芯片U1的反相輸入端分兩路，一路經電阻R1與5V電源相接，另一路經電阻R2接地；芯片 U1的同相輸入端分兩路，一路經電阻R3接地，另一路為采樣芯片的信號輸入端；芯片U1的輸 出端與二極管D1的陽極相接。

3.按照權利要求2所述的一種信號整形電路，其特征在于：所述保持電容為電容C3，所 述電容C3的一端與二極管D1的陰極相接，另一路接地。

4.按照權利要求3所述的一種信號整形電路，其特征在于：所述電荷泄放開關為MOSFET 管Q2，所述MOSFET管Q2的柵極與控制器(1)相接，MOSFET管Q2的源極接地，MOSFET管Q2的漏 極與電容C3的一端和二極管D1的陰極的連接端相接。

5.按照權利要求4所述的一種信號整形電路，其特征在于：所述電壓跟隨電路(2-2)包 括MOSFET管Q1、電阻R4、反饋電容C1和隔直電容C2，所述MOSFET管Q1的柵極與MOSFET管Q2的 漏極、電容C3的一端和二極管D1的陰極的連接端相接，MOSFET管Q1的源極經電阻R4接地， MOSFET管Q1的漏極與5V電源相接，MOSFET管Q1的源極和電阻R4的連接端分兩路，一路經反 饋電容C1與芯片U1的反相輸入端相接，另一路經隔直電容C2信號輸出。

6.按照權利要求1所述的一種信號整形電路，其特征在于：所述控制器(1)包括單片機、 微控制器或定時器。