[實(shí)用新型]一種雙面多信息檢測微腦電極芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201521037343.1
• 申請日: 2015-12-12
• 公開（公告）號: CN205252318U
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王玨;趙宗亞;黃洪恩;龔茹雪
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號: A61N1/36
• 分類號: A61N1/36;A61N1/05;A61B5/0478;A61B5/1473
• 代理公司: 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215
• 代理人: 弋才富

1.一種雙面多信息檢測微腦電極芯片，其特征在于，包括電極桿(1)，電 極桿(1)每一個面分布有三個電脈沖刺激電極位點(diǎn)(2)，四個電化學(xué)檢測電極 位點(diǎn)(4)和七個腦電檢測電極位點(diǎn)(3)；電脈沖刺激電極位點(diǎn)(2)、腦電檢測 電極位點(diǎn)(3)和電化學(xué)檢測電極位點(diǎn)(4)對稱分布在電極桿(1)兩個面的中 軸線上；電化學(xué)檢測電極位點(diǎn)(4)和腦電檢測電極位點(diǎn)(3)通過檢測電極引 線(6)連接到電極引線接口焊盤(7)；電脈沖刺激電極位點(diǎn)(2)通過刺激電 極引線(5)連接到電極引線接口焊盤(7)；電極引線接口焊盤(7)對稱分布 在電極柄(8)兩個面的中軸線的兩側(cè)，電極引線接口焊盤(7)在電極柄(8) 每個側(cè)面上共分布2組×7個。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面多信息檢測微腦電極芯片，其特征在于， 所述電極桿(1)的基底材料為單晶硅、參雜硅或SOI硅片其中之一，所述電極 桿(1)的厚度為200um,尖端呈32度角，電極桿(1)主體寬度400-600um,長8.8mm， 電極桿(1)表面覆蓋200-300nm絕緣層，絕緣層為二氧化硅或氮化硅其中之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面多信息檢測微腦電極芯片，其特征在于， 所述電極柄(8)的基底材料為單晶硅、參雜硅或SOI硅片其中之一，電極柄8的 厚度為200um，長4mm，寬2mm，電極柄(8)表面覆蓋200-300nm絕緣層，絕緣層 為二氧化硅或氮化硅其中之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面多信息檢測微腦電極芯片，其特征在于， 所述電脈沖刺激電極位點(diǎn)(2)、腦電檢測電極位點(diǎn)(3)和電化學(xué)檢測電極位點(diǎn) (4)的電極材料是生物相容性好的金屬薄膜，包括金、鉑、銥、鈦，厚度 200-300nm，通過20-30nm金屬鉻粘結(jié)在電極基底上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面多信息檢測微腦電極芯片，其特征在于， 所述電脈沖刺激電極位點(diǎn)(2)為直徑100um的圓形區(qū)域，所述腦電檢測電極位 點(diǎn)(3)為直徑20um的圓形區(qū)域，所述電化學(xué)檢測電極位點(diǎn)(4)為直徑50um的 圓形區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面多信息檢測微腦電極芯片，其特征在于， 所述電脈沖刺激電極位點(diǎn)(2)與腦電檢測電極位點(diǎn)(3)相間排列，間距250um； 所述電化學(xué)檢測電極位點(diǎn)(4)和腦電檢測電極位點(diǎn)(3)相間排列，間距300um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面多信息檢測微腦電極芯片，其特征在于， 所述刺激電極引線(5)、檢測電極引線(6)和電極引線接口焊盤(7)的材料 為包括金、鉑、銅導(dǎo)電性能良好的金屬的一種,厚度200-300nm，通過20-30nm金 屬鉻粘結(jié)在電極基底上；

所述刺激電極引線(5)和檢測電極引線(6)表面絕緣的方法是，通過磁控 濺射技術(shù)在其上面均勻?yàn)R射一層200-300nm厚SiO2絕緣層；

所述刺激電極引線(5)寬度10um，間距5um；所述檢測電極引線(6)寬度 5um，間距5um；所述刺激電極引線(5)和檢測電極引線(6)分別在微電極同 一面的中軸線兩側(cè)布線，所述電極引線接口焊盤(7)大小為400um×400um，垂 直間距200um。