[實用新型]硅片精密對準倒片花棒有效
| 申請號： | 201521034683.9 | 申請日： | 2015-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN205319124U | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 施煒青;賀賢漢 | 申請（專利權）人： | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海順華專利代理有限責任公司 31203 | 代理人： | 陳淑章 |
| 地址： | 200444 上海市寶*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 精密 對準 片花 | ||
【權利要求書】：
1.硅片精密對準倒片花棒，其特征在于，所述硅片精密對準倒片花棒為圓柱體(1)，兩端設有卡口(2)，所述圓柱體(1)上設有槽口(3)，所述槽口(3)為環狀凹槽。
2.根據權利要求1所述的硅片精密對準倒片花棒，其特征在于，所述卡口(2)為圓柱體凸臺，設置于圓柱體(1)的中心。
3.根據權利要求1所述的硅片精密對準倒片花棒，其特征在于，所述槽口(3)為等深環狀凹槽，底部為等直徑圓柱，兩側為互為鏡像的斜坡。
4.根據權利要求1-3任一所述的硅片精密對準倒片花棒，其特征在于，所述圓柱體(1)的直徑為30mm，所述槽口(3)底部的圓柱直徑為18mm，厚度為1mm，槽口(3)頂部最長距離為3mm，所述槽口(3)上斜坡與徑向的夾角為8.15°，所述卡口(2)的直徑為12mm。
5.根據權利要求4所述的硅片精密對準倒片花棒，其特征在于，所述槽口(3)在圓柱體(1)上均勻分布，共有兩排，對于圓柱體(1)的中心截面互為鏡像。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
