[實用新型]一種新型的V型饋線諧振的缺陷地結構天線

有效

• 申請號: 201521020817.1
• 申請日: 2015-12-10
• 公開（公告）號: CN205231241U
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 劉文奇;郝術苗;耿一方
• 申請（專利權）人: 哈爾濱黑石科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q1/48;H01Q1/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型的V型饋線諧振的缺陷地結構天線，其特征是：包括介質基板，輻 射單元，微帶傳輸線，回型缺陷地結構，接地面,V型饋線諧振單元，所述的 輻射單元、微帶傳輸線、印刷在介質基板上表面；所述的輻射單元位于介質 基板的中部；回型缺陷地結構位于微帶傳輸線兩側；回型缺陷地結構刻蝕在 接地板上；弓字形結構槽開在輻射單元上；V型饋線結構刻蝕在微帶傳輸線 上。

2.根據權利要求1所述的一種新型的V型饋線諧振的缺陷地結構天線,其特征 是:所述的微帶線兩側分別有兩個對稱結構的金屬諧振腔。

3.根據權利要求1或2所述的一種新型的V型饋線諧振的缺陷地結構天線，其特 征是：所述的微帶傳輸線兩側，金屬諧振腔尺寸不相等。

4.根據權利要求1或2所述的一種新型的V型饋線諧振的缺陷地結構天線，其 特征是：所述的金屬諧振腔刻蝕在接地板上。

5.根據權利要求1所述的一種新型的V型饋線諧振的缺陷地結構天線，其特征 是：所述的輻射單元上開弓字形結構槽。

6.根據權利要求1所述的一種新型的V型饋線諧振的缺陷地結構天線，其特征 是:所述的微帶傳輸線上刻蝕有V型饋線諧振單元。