[實用新型]一種底層埋入式微米級三維薄膜電感器有效
| 申請號： | 201521020237.2 | 申請日： | 2015-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN205140709U | 公開（公告）日： | 2016-04-06 |
| 發明（設計）人： | 何興偉;方允樟;李文忠;馬云;金林楓 | 申請（專利權）人： | 浙江師范大學 |
| 主分類號： | H01F27/28 | 分類號： | H01F27/28;H01F27/30;H01F27/24 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 321004 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 底層 埋入 式微 三維 薄膜 電感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種底層埋入式微米級三維薄膜電感器，包括襯底、導線底層、導 線頂層和包裹有絕緣層的磁性層，所述導線頂層位于所述導線底層上，所述 磁性層位于所述導線頂層和所述所述導線底層之間，其特征在于：所述導線 底層埋入襯底內，所述導線底層的上表面與襯底平面持平。
2.根據權利要求1所述的底層埋入式微米級三維薄膜電感器，其特征 在于，所述導線底層和導線頂層均為Cr膜、Cu膜和Cr膜疊加組成的。
3.根據權利要求1所述的底層埋入式微米級三維薄膜電感器，其特征 在于，所述磁性層為Cr膜、Cu膜、FeCuNbSiB膜、Cu膜和Cr膜疊加組成的。
4.根據權利要求1所述的底層埋入式微米級三維薄膜電感器，其特征 在于，所述磁性層由絕緣底層和絕緣頂層包裹，所述絕緣底層和絕緣頂層被 導線底層和導線頂層通過觸點對接纏繞包裹。
5.根據權利要求1所述的底層埋入式微米級三維薄膜電感器，其特征 在于，所述導線底層和導線頂層為薄膜斜紋層。
6.根據權利要求1至5任一項所述的底層埋入式微米級三維薄膜電感 器，其特征在于：所述磁性層是環型跑道形狀。
7.根據權利要求1至5任一項所述的底層埋入式微米級三維薄膜電感 器，其特征在于：所述磁性層的厚度為2到10μm。
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