[實用新型]用于鑄造多晶硅漏硅快速報警的坩堝墊板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520992342.6 | 申請日： | 2015-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN205275778U | 公開（公告）日： | 2016-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 紀東方;郭寬新;韋家庚;朱慶龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 海潤光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐紉蘭;申萍 |
| 地址： | 214406 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 鑄造 多晶 硅漏硅 快速 報警 坩堝 墊板 | ||
1.一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報警的坩堝墊板，它包括坩堝墊板本體（3），其特征在于所述坩堝墊板本體（3）的表面設(shè)置有環(huán)形連接的四道第一導(dǎo)流槽（1），所述坩堝墊板本體（3）上從每道第一導(dǎo)流槽（1）上向外側(cè)開設(shè)有多道第二導(dǎo)流槽（2）至坩堝墊板本體（3）外邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報警的坩堝墊板，其特征在于所述第一導(dǎo)流槽（1）距離坩堝墊板本體（3）的邊緣5~30mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報警的坩堝墊板，其特征在于所述第一導(dǎo)流槽（1）的寬度為5~10mm，所述第一導(dǎo)流槽（1）的深度為5~10mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報警的坩堝墊板，其特征在于所述第二導(dǎo)流槽（2）的寬度為3~10mm，所述第二導(dǎo)流槽（2）的深度為5~10mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于鑄造多晶硅漏硅快速報警的坩堝墊板，其特征在于第一導(dǎo)流槽（1）在每個第二導(dǎo)流槽（2）相應(yīng)處為最低點。
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