[實(shí)用新型]一種快速軟恢復(fù)二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520989889.0
• 申請日: 2015-12-03
• 公開（公告）號: CN205264708U
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳利;徐承福;高耿輝;姜帆
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門元順微電子技術(shù)有限公司;大連連順電子有限公司;友順科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/868;H01L21/33
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種快速軟恢復(fù)二極管。

背景技術(shù)

快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特 點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子 電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極 管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基 區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向 壓降較低，反向擊穿電壓(耐壓值)較高。

快速軟恢復(fù)二極管是PIN型的雙極器件，當(dāng)其處于正向?qū)顟B(tài)，即陽 極相對于陰極加正電壓時(shí)，其陽極和陰極分別向n-區(qū)注入空穴和電子，由于 n-區(qū)的摻雜濃度很低，注入到n-區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于n-區(qū)襯底的摻雜濃 度，n-區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，電導(dǎo)率大大提高，使得快速軟恢復(fù)二極 管的通態(tài)壓降維持在較低的水平。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型為解決上述問題，提供了一種快速軟恢復(fù)二極管。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：

一種快速軟恢復(fù)二極管，包括：

一陰極n+區(qū)(1)；

一p+緩沖區(qū)(2)，配置于該陰極n+區(qū)(1)上；

一n緩沖區(qū)(3)，配置于該陰極n+區(qū)(1)及該p+緩沖區(qū)(2)上并覆蓋 該p+緩沖區(qū)(2)；

一n-漂移區(qū)(4)，配置于該n緩沖區(qū)(3)上；

一p基區(qū)(5)，配置于該n-漂移區(qū)(4)上；

一陽極p+區(qū)(6)，配置于該p基區(qū)(5)上。

本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型在n緩沖區(qū)和陰極n+區(qū)之間引入p+緩沖區(qū)，該結(jié)構(gòu)陰極隱埋 p+緩沖區(qū)形成兩個(gè)背靠背的pn結(jié)，而對于n+n結(jié)可以將其等效為電阻，故其 陰極等效電路為兩個(gè)背靠背pn結(jié)與電阻的并聯(lián)；該結(jié)構(gòu)在陰極側(cè)隱埋的p+ 緩沖區(qū)，在反向恢復(fù)期間可以向n-漂移區(qū)注入少數(shù)載流子空穴，降低nn+結(jié) 處的電場強(qiáng)度，改善反向恢復(fù)軟度，降低反向恢復(fù)峰值功耗，并提高了抗反 向恢復(fù)動態(tài)動態(tài)雪崩能力。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實(shí)用新 型的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并 不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖示說明：陰極n+區(qū)-1；p+緩沖區(qū)-2；n緩沖區(qū)-3；n-漂移區(qū)-4；p基區(qū)-5； 陽極p+區(qū)-6。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清 楚、明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng) 當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本 實(shí)用新型。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種快速軟恢復(fù)二極管，包括：

一陰極n+區(qū)(1)；

一p+緩沖區(qū)(2)，配置于該陰極n+區(qū)(1)上；

一n緩沖區(qū)(3)，配置于該陰極n+區(qū)(1)及該p+緩沖區(qū)(2)上并覆 蓋該p+緩沖區(qū)(2)；

一n-漂移區(qū)(4)，配置于該n緩沖區(qū)(3)上；

一p基區(qū)(5)，配置于該n-漂移區(qū)(4)上；

一陽極p+區(qū)(6)，配置于該p基區(qū)(5)上。

本實(shí)用新型在n緩沖區(qū)和陰極n+區(qū)之間引入p+緩沖區(qū)，該結(jié)構(gòu)陰極隱 埋p+緩沖區(qū)形成兩個(gè)背靠背的pn結(jié)，而對于n+n結(jié)可以將其等效為電阻， 故其陰極等效電路為兩個(gè)背靠背pn結(jié)與電阻的并聯(lián)；該結(jié)構(gòu)在陰極側(cè)隱埋的 p+緩沖區(qū)，在反向恢復(fù)期間可以向n-漂移區(qū)注入少數(shù)載流子空穴，降低nn+ 結(jié)處的電場強(qiáng)度，改善反向恢復(fù)軟度，降低反向恢復(fù)峰值功耗，并提高了抗 反向恢復(fù)動態(tài)動態(tài)雪崩能力。

上述說明示出并描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，如前所述，應(yīng)當(dāng)理解 本實(shí)用新型并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除， 而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述實(shí)用新型構(gòu)想范圍 內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行 的改動和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán) 利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。