[實用新型]一種TFT基板和顯示屏

有效

• 申請號: 201520988143.8
• 申請日: 2015-12-02
• 公開（公告）號: CN205140979U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 張金方;朱修劍;韓珍珍
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/423;H01L29/786
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

技術領域

本實用新型涉及顯示面板技術領域，尤其涉及一種TFT基板和顯示屏。

背景技術

隨著顯示技術的發展，顯示面板已經進入了人們生活的方方面面。目前， 市場上的主流顯示面板主要有兩種：液晶顯示面板(LiquidCrystalDisplay， LCD)和有機發光二極管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)顯示面板。 薄膜場效應晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)基板可以作為上述兩種顯示面 板的驅動，其性能對顯示面板的性能有重要的影響。

顯示面板中每個像素由對應的單個TFT單元進行控制，并配合外圍驅動電 路，最終實現圖像的顯示。其中，單個TFT單元主要由柵極、柵極絕緣層、源 漏極、有源層構成，工作原理是通過改變柵極電壓改變半導體薄膜的表面勢， 從而能夠控制源漏電極之間的電流/或電壓，從而實現對顯示面板的控制。

在現有技術中，由于同一TFT單元中的柵極絕緣層厚度差較大，從而導致 TFT基板可靠性較低。

實用新型內容

本實用新型實施例提供一種TFT基板，用以解決現有的TFT基板可靠性 低的問題。

本實用新型實施例還提供一種顯示屏。

本實用新型實施例采用下述技術方案：

一種TFT基板，包括：基片，依次層疊于所述基片一側表面上的緩沖層、 有源層、柵極絕緣層和柵極，所述有源層正上表面柵極絕緣層與有源層斜側表 面柵極絕緣層厚度相同，或所述有源層正上表面柵極絕緣層與有源層斜側表面 柵極絕緣層的厚度差小于預設厚度差。

可選的，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；

所述第一柵極絕緣層，位于所述有源層斜側表面；

所述第二柵極絕緣層，位于所述有源層正上表面。

可選的，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；

所述第一柵極絕緣層，位于所述有源層斜側表面；

所述第二柵極絕緣層，位于所述有源層正上表面和第一柵極絕緣層表面。

可選的，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；

所述第一柵極絕緣層，位于所述有源層正上表面和斜側表面；

所述第二柵極絕緣層，位于所述第一柵極絕緣層斜側表面。

可選的，所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層的材料相同或不同。

一種顯示屏，包括上述TFT基板。

本實用新型實施例采用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果：

本實用新型提供的TFT基板，位于有源層正上表面的柵極絕緣層和位于有 源層斜側表面的柵極絕緣層厚度相同或厚度差小于預設厚度差，在開啟TFT 時，有源層各處達到飽和電流的時間相同或小于預設時間差，從而有效的改善 了由柵極絕緣層厚度不均勻引起的“駝峰效應”，提高了器件的開啟速度。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構成本實用新型 的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構 成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1為現有技術中TFT基板的基本結構的示意性截面圖；

圖2為本實用新型實施例的第一示例性實施方案的TFT基板的基本結構圖 的示意性截圖；

圖3為本實用新型實施例的第二示例性實施方案的TFT基板的基本結構圖 的示意性截圖。

圖4為本實用新型實施例的第三示例性實施方案的TFT基板的基本結構圖 的示意性截圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新 型具體實施例及相應的附圖對本實用新型技術方案進行清楚、完整地描述。顯 然，所描述的實施例僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基 于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下 所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

以下結合附圖，詳細說明本實用新型各實施例提供的技術方案。