[實用新型]集成電路霍爾效應測試裝置及其測試平臺有效
| 申請號： | 201520984363.3 | 申請日： | 2015-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN205157730U | 公開（公告）日： | 2016-04-13 |
| 發明（設計）人： | 陳愛兵;王秀軍;胡進;張剛;王濬騰 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體（昆山）有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 215323 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 霍爾 效應 測試 裝置 及其 平臺 | ||
1.一種集成電路霍爾效應測試平臺，其特征在于：所述集成電路霍爾效應 測試平臺包括：
測試機臺，所述測試機臺包括基板；
測試底板；以及
霍爾效應測試裝置，所述霍爾效應測試裝置設置在所述測試底板中；
且其中所述霍爾效應測試裝置包括：
屏蔽殼體，定義一測試區；
磁場線圈，經配置以產生磁場；所述磁場線圈設置于所述測試區 內；以及
測試座，經配置以承載待測試集成電路；所述測試座設置于所述 測試區內且為所述磁場線圈所環繞。
2.根據權利要求1所述的集成電路霍爾效應測試平臺，其特征在于：所述 測試區外側100mm之內的范圍為磁場屏蔽區。
3.根據權利要求1所述的集成電路霍爾效應測試平臺，其特征在于：所述 測試區外側與所述測試機臺的所述基板的間隔距離至少大于100mm。
4.根據權利要求1所述的集成電路霍爾效應測試平臺，其特征在于：所述 測試座包含襯底和導電觸片，所述導電觸片設置于所述襯底之上。
5.根據權利要求1所述的集成電路霍爾效應測試平臺，其特征在于：所述 集成電路霍爾效應測試平臺更包括一支撐架體，所述支撐架體配置于所述 測試底板與所述測試機臺的所述基板之間且支撐所述測試底板。
6.根據權利要求1所述的集成電路霍爾效應測試平臺，其特征在于：所述 集成電路霍爾效應測試平臺更包括多個導桿，所述多個導桿用以將所述待 測試集成電路推送或推離所述測試區。
7.一種集成電路霍爾效應測試裝置，其特征在于，所述霍爾效應測試裝置包 括：
屏蔽殼體，定義一測試區；
磁場線圈，經配置產生磁場；所述磁場線圈設置于所述測試區內；以及
測試座，經配置以承載待測試集成電路；所述測試座設置于所述測試區 內且為所述磁場線圈所環繞。
8.根據權利要求7所述的集成電路霍爾效應測試裝置，其特征在于：所述測 試區外側100mm之內的范圍為磁場屏蔽區。
9.根據權利要求7所述的集成電路霍爾效應測試裝置，其特征在于：所述磁 場線圈進一步連接電源線。
10.根據權利要求7所述的集成電路霍爾效應測試裝置，其特征在于：所述測 試座包含襯底和導電觸片，所述導電觸片設置于所述襯底之上。
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