[實用新型]一種高耐壓臺面二極管芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520982829.6 | 申請日： | 2015-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN205231039U | 公開（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李朝暉;李健兒;馮艾誠;胡仲波;陳華明;馮永 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川上特科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/29 | 分類號： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 胡林 |
| 地址： | 629200 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 耐壓 臺面 二極管 芯片 | ||
1.一種高耐壓臺面二極管芯片，包括PN結(jié)（1）和鈍化膜層（2），其特征在于：所述PN結(jié) （1）的N區(qū)（11）外側(cè)設(shè)有N+層（3）；所述鈍化膜層（2）包覆在PN結(jié)（1）外部的臺面?zhèn)缺?，所述鈍 化膜層（2）包括從下到上依次設(shè)置的摻氧半絕緣多晶硅層（21）、玻璃層（22）和不摻雜氧化 硅層（23）。
2.如權(quán)利要求1所述的高耐壓臺面二極管芯片，其特征在于：所述摻氧半絕緣多晶硅層 （21）的厚度為0.4～0.5μm。
3.如權(quán)利要求1所述的高耐壓臺面二極管芯片，其特征在于：所述玻璃層（22）的槽寬為 15～25μm，槽深為130～150μm。
4.如權(quán)利要求1所述的高耐壓臺面二極管芯片，其特征在于：所述不摻雜氧化硅層（23） 的厚度為0.5～0.7μm。
5.如權(quán)利要求1～4任一項所述的高耐壓臺面二極管芯片，其特征在于：所述PN結(jié)（1）的 P區(qū)（12）厚度為80～90μm，N區(qū)（11）厚度為120～140μm。
6.如權(quán)利要求1～4任一項所述的高耐壓臺面二極管芯片，其特征在于：所述N+層（3）的 厚度為50～60μm。
7.如權(quán)利要求1所述的高耐壓臺面二極管芯片，其特征在于：所述PN結(jié)（1）的P區(qū)（12）外 側(cè)、N+層（3）外側(cè)還有鍍鎳層（4）。
8.如權(quán)利要求7所述的高耐壓臺面二極管芯片，其特征在于：所述鍍鎳層（4）的厚度為 0.9～1.1μm。
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