[實用新型]一種半橋電路有效
| 申請號: | 201520978608.1 | 申請日: | 2015-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN205195589U | 公開(公告)日: | 2016-04-27 |
| 發明(設計)人: | 李少卿;蔣中為 | 申請(專利權)人: | 深圳市電王科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/537 | 分類號: | H02M7/537 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 金輝 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市坪山新區大工業*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種半橋電路。
背景技術
半橋電路(也稱為半橋變換器)在PWM電機控制、DC-AC逆變、電子鎮 流器等場合有著廣泛的應用。其中,包括兩個串聯呈橋臂的功率開關管,兩個 功率開關管由反相的信號控制,當一個功率管開時,另一個關斷,這樣在輸出 點就得到脈沖電壓信號。
如圖1所示,是一種傳統的非隔離半橋電路,它應用于鎮流電路中,對電 光源的電流進行鎮流,該電路中,MOS管Q1和MOS管Q2組成一半橋式電路,電 容器C6和電容器C7組成另外一半橋式電路。其周期工作如下:
MOS管Q1導通,MOS管Q2關閉:電流由400VDC流經Q1、經過高頻電容器 C5、鎮流電感T2A,電光源,高頻電容器C6,流至GND,然后回到400VDC。
MOS管Q1關閉,MOS管Q2關閉:由于鎮流電感T2的續流功能,電流由電 感T2、電光源、高頻電容器C6、GND、流經MOS管Q2的體內二極管、高頻電容 器C5、最終回到鎮流電感T2A。
MOS管Q1關閉、MOS管Q2導通:電流由400VDC流經電容器C7、電光源、 鎮流電感T2A,高頻電容器C5,MOS管Q2,至GND然后回到400VDC。
MOS管Q1關閉、MOS管Q2關閉:由于鎮流電感T2的續流作用,電流不能 馬上改變方向,電流由鎮流電感T2A、高頻電容器C5、MOS管Q1的體二極管、 400VDC、電容器C7、電光源、然后回到鎮流電感T2A。
上述為傳統半橋電路中的一個工作周期。可以看出其工作時由兩個環路組 成。一個是由400VDC、MOS管Q1、高頻電容器C5、鎮流電感T2A、電光源、電 容器C6、GND、MOS管Q2組成的,另外一個由400VDC、電容器C7、電光源、高 頻電容器C5、Q2、GND、Q1組成。
其中電容器C6、電容器C7分別參加各自一個環路,交錯工作。
上述傳統半橋電路中,由兩個MOS管組成橋式電路的一邊,剩下的一半由 兩個電容器構成。隨著經濟的快速發展,要求不斷提升產品競爭力,而縮減成 本已是非常重要的一環。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種半橋電路及鎮流器。在保留傳統非隔離型半 橋電路功能的情況下,去除由電容器構成的橋臂,降低成本,提升產品競爭力。
本實用新型的技術方案是:一種半橋電路,由外部直流電源、MOS管Q1、 MOS管Q2、電容器C3、電容器C4、電容器C5以及對MOS管Q1和MOS管Q2交 替導通進行控制的輸入控制電路組成;外部直流電源經MOS管Q1的源-漏極和 MOS管Q2的源-漏極接地;所述的MOS管Q1的源-漏極之間并聯所述的電容C3、 所述的MOS管Q2的源-漏極之間并聯所述的電容C4,MOS管Q1的源極與MOS管 Q2的漏極引出所述的半橋電路的輸出,所述的電容器C5設置在半橋電路的輸出 端;所述的輸入控制電路分別與所述的MOS管Q1和MOS管Q2的柵極相連。
本實用新型的半橋電路中,只有由功率管MOS管Q1和MOS管Q2組成的半 橋式電路,去除由電容器構成的橋臂,降低成本,提升產品競爭力。
進一步的,上所述的半橋電路中:所述的輸入控制電路包括驅動信號LO、 驅動信號RO,電容器C1,變壓器T1;所述的變壓器T1包括原邊繞組T1A和兩 個極性相反的副邊繞組T1B和副邊繞組T1C;驅動信號LO經過電容器C1與原邊 繞組T1A的一端相連,原邊繞組T1A的另一端與驅動信號RO相連;副邊繞組T1B 的一端與MOS管Q1的源極相連,副邊繞組T1B的另一端與MOS管Q1的柵極相 連;副邊繞組T1C的一端與MOS管Q2的源極相連,副邊繞組T1C的另一端與MOS 管Q2的柵極相連。所述的輸入控制電路還包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電 阻R4;所述的電阻R1、R3分別串連在副邊繞組T1B的一端與MOS管Q1的柵極 之間和副邊繞組T1C的一端與MOS管Q2的柵極之間;電阻R2、電阻R4分別串 連在MOS管Q1的柵極與源極之間和MOS管Q2的柵極與源極之間。
這里變壓器T1副邊為極性相反的兩個繞組組成,保證半橋橋臂的MOS管Q1、 Q2不可能同時導通。原理上避免橋臂天地通的損壞可能。
更進一步的,上述的半橋電路中:所述的電容器C3和電容器C4為高頻特 性瓷片電容。這樣可以達到高頻低損耗的目的,極大的降低電容本身的溫度。
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