[實用新型]齊納二極管和電路

有效

• 申請號: 201520964609.0
• 申請日: 2015-11-26
• 公開（公告）號: CN205177856U
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: R·西莫拉;P·弗納拉
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L29/866
• 分類號: H01L29/866;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種齊納二極管，其特征在于，包括：

具有第一導電類型的陰極區域，形成在具有第二導電類型的半導 體襯底的表面上，

具有所述第二導電類型的陽極區域，形成在所述陰極區域之下， 所述陰極區域和所述陽極區域通過溝槽隔離與襯底的其余部分相隔 離，以及

第一導電區域，被配置為當其經受足夠的電壓時生成與所述陰極 區域和所述陽極區域之間的界面相垂直的第一電場，

其特征在于，所述齊納二極管包括第二導電區域，所述第二導電 區域被配置為當其經受足夠的電壓時生成與所述陰極區域和所述陽 極區域之間的界面相平行的第二電場。

2.根據權利要求1所述的齊納二極管，其特征在于，所述第二 導電區域包括埋置柵極，所述埋置柵極僅通過該柵極的電介質層與所 述陽極區域相分離。

3.根據權利要求1和2中的一項所述的齊納二極管，其特征在 于，包括：

形成在襯底中的具有所述第一導電類型的阱，所述陰極區域形成 在所述阱的表面上，并且所述陽極區域在所述阱中形成在所述陰極區 域之下，以及

具有所述第一導電類型的陽極連接區域，形成在所述阱的表面上 并且與所述陰極區域相隔離。

4.根據權利要求3所述的齊納二極管，其特征在于，所述阱通 過淺溝槽與所述襯底相隔離。

5.根據權利要求2所述的齊納二極管，其特征在于，所述柵極 形成在所述陰極區域和陽極連接區域之間。

6.根據權利要求2所述的齊納二極管，其特征在于，所述柵極 圍繞所述陰極區域和所述陽極區域。

7.根據權利要求2所述的齊納二極管，其特征在于，所述柵極 形成在所述陰極區域和所述陽極區域中。

8.根據權利要求2所述的齊納二極管，其特征在于，所述柵極 具有八角形或矩形形狀。

9.根據權利要求1和2中的一項所述的齊納二極管，其特征在 于，所述第一導電區域和所述第二導電區域是互連的。

10.一種電路，其特征在于，包括根據權利要求1到9中的一項 所述的齊納二極管。