[實用新型]高重復頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產生裝置有效
| 申請號： | 201520953601.4 | 申請日： | 2015-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN205304753U | 公開（公告）日： | 2016-06-08 |
| 發明（設計）人： | 胡龍;蘇建倉;丁臻捷;浩慶松;袁雪林;方旭;樊亞軍 | 申請（專利權）人： | 西北核技術研究所 |
| 主分類號： | H03K4/02 | 分類號： | H03K4/02 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 楊亞婷 |
| 地址： | 71002*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 重復 頻率 電壓 亞納秒 前沿 脈沖 產生 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種高重復頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產生裝置，其特征在于： 包括多級階梯狀脈沖形成線，所述多級階梯狀脈沖形成線的輸入端并聯設置至 少兩只半絕緣砷化鎵雪崩開關，各半絕緣砷化鎵雪崩開關在時間上順次導通。
2.根據權利要求1所述的高重復頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產生裝 置，其特征在于：
所述半絕緣砷化鎵雪崩開關的數量為2只，所述多級階梯狀脈沖形成線的級 數為2級。
3.根據權利要求1或2所述的高重復頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產生 裝置，其特征在于：
所述半絕緣砷化鎵雪崩開關為同面結構、異面結構或體結構。
4.根據權利要求3所述的高重復頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產生裝 置，其特征在于：
所述半絕緣砷化鎵雪崩開關為體結構，體結構的半絕緣砷化鎵雪崩開關包 括半絕緣砷化鎵襯底，所述半絕緣砷化鎵襯底的一側覆蓋有陽極金屬層，與陽 極金屬層相對的半絕緣砷化鎵襯底的另一側的中心設置有圓形陰極金屬層，在 圓形陰極金屬層的周圍設置鈍化區域，所述圓形陰極金屬層的中心還開設有通 光孔，陰極金屬層上連接引線。
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