[實(shí)用新型]高重復(fù)頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產(chǎn)生裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520953601.4 | 申請日： | 2015-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN205304753U | 公開（公告）日： | 2016-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡龍;蘇建倉;丁臻捷;浩慶松;袁雪林;方旭;樊亞軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 西北核技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | H03K4/02 | 分類號： | H03K4/02 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人： | 楊亞婷 |
| 地址： | 71002*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 重復(fù) 頻率 電壓 亞納秒 前沿 脈沖 產(chǎn)生 裝置 | ||
1.一種高重復(fù)頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產(chǎn)生裝置，其特征在于： 包括多級階梯狀脈沖形成線，所述多級階梯狀脈沖形成線的輸入端并聯(lián)設(shè)置至 少兩只半絕緣砷化鎵雪崩開關(guān)，各半絕緣砷化鎵雪崩開關(guān)在時(shí)間上順次導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高重復(fù)頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產(chǎn)生裝 置，其特征在于：
所述半絕緣砷化鎵雪崩開關(guān)的數(shù)量為2只，所述多級階梯狀脈沖形成線的級 數(shù)為2級。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高重復(fù)頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產(chǎn)生 裝置，其特征在于：
所述半絕緣砷化鎵雪崩開關(guān)為同面結(jié)構(gòu)、異面結(jié)構(gòu)或體結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高重復(fù)頻率、高電壓、亞納秒前沿的脈沖產(chǎn)生裝 置，其特征在于：
所述半絕緣砷化鎵雪崩開關(guān)為體結(jié)構(gòu)，體結(jié)構(gòu)的半絕緣砷化鎵雪崩開關(guān)包 括半絕緣砷化鎵襯底，所述半絕緣砷化鎵襯底的一側(cè)覆蓋有陽極金屬層，與陽 極金屬層相對的半絕緣砷化鎵襯底的另一側(cè)的中心設(shè)置有圓形陰極金屬層，在 圓形陰極金屬層的周圍設(shè)置鈍化區(qū)域，所述圓形陰極金屬層的中心還開設(shè)有通 光孔，陰極金屬層上連接引線。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西北核技術(shù)研究所，未經(jīng)西北核技術(shù)研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520953601.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
