[實用新型]集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520946134.2 | 申請日： | 2015-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN205248263U | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | A·帕加尼;G·吉蘭多;F·G·齊格利奧利;A·菲諾基亞洛 | 申請（專利權）人： | 意法半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58;H01L23/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國省代碼： | 意大利;IT |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 | ||
1.一種集成電路IC，其特征在于，包括：
半導體襯底，具有形成在所述半導體襯底中的電路；
至少一個互連層，在所述半導體襯底上方并且包括耦合到所述電路的天線；
密封環(huán)，在所述至少一個互連層的外圍周圍；以及
至少一個電絕緣溝槽，豎直地延伸到所述半導體襯底中并且從所述半導體襯底的相鄰 的一側(cè)向所述半導體襯底的相鄰的另一側(cè)橫向地延伸跨過所述半導體襯底。
2.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽從所述半導體襯底 的一側(cè)邊緣向另一側(cè)邊緣橫向地延伸。
3.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述電路包括收發(fā)器電路以及耦合到所述收 發(fā)器電路的壓力傳感器電路。
4.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽包括多個電絕緣溝 槽。
5.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽包括多個交叉的電 絕緣溝槽。
6.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽從所述半導體襯底 的頂表面豎直地延伸。
7.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽從所述半導體襯底 的底表面豎直地延伸。
8.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽具有錐形側(cè)壁。
9.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述密封環(huán)包括連續(xù)的電傳導環(huán)。
10.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述密封環(huán)包括非連續(xù)的電傳導環(huán)。
11.根據(jù)權利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC還包括在所述至少一個互連層之上 的鈍化層。
12.一種集成電路IC，其特征在于，包括：
半導體襯底，具有形成在所述半導體襯底中的電路，所述電路包括收發(fā)器電路以及耦 合到所述收發(fā)器電路的壓力傳感器電路；
至少一個互連層，在所述半導體襯底上方并且包括耦合到所述收發(fā)器電路的天線；
密封環(huán)，在所述至少一個互連層的外圍周圍；以及
至少一個電絕緣溝槽，豎直地延伸到所述半導體襯底中并且從所述半導體襯底的一側(cè) 邊緣向所述半導體襯底的另一側(cè)邊緣橫向地延伸跨過所述半導體襯底。
13.根據(jù)權利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽包括多個電絕緣 溝槽。
14.根據(jù)權利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽包括多個交叉的 電絕緣溝槽。
15.根據(jù)權利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽從所述半導體襯 底的頂表面豎直地延伸。
16.根據(jù)權利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一個電絕緣溝槽從所述半導體襯 底的底表面豎直地延伸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于意法半導體股份有限公司，未經(jīng)意法半導體股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520946134.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
