[實用新型]一種寬占空比的MOSFET隔離驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520940464.0
• 申請日: 2015-11-20
• 公開（公告）號: CN205283380U
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 趙敏;王騫;張東來;王超;陳紅
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市航天新源科技有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 孫偉

1.一種寬占空比的MOSFET隔離驅(qū)動電路，包括第一邊沿捕獲電路、第 二邊沿捕獲電路、第一驅(qū)動電路、第二驅(qū)動電路、變壓器和PWM副邊 輸出電路；PWM信號經(jīng)由第三非門連接第一邊沿捕獲電路，第一邊沿捕 獲電路連接驅(qū)動電路，第一驅(qū)動電路的輸出端連接變壓器原邊的一端； 所述PWM信號連接第二邊沿捕獲電路，第二邊沿捕獲電路連接驅(qū)動電 路，第二驅(qū)動電路的輸出端連接變壓器原邊的另一端；捕獲到的信號經(jīng) 過所述驅(qū)動電路后形成帶功率的脈沖信號驅(qū)動變壓器，以實現(xiàn)在傳遞脈 沖沿信號的同時將驅(qū)動能量傳輸?shù)剿龈边呡敵鲭娐罚凰龈边呡敵鲭? 路的輸出為還原后的PWM信號，用于驅(qū)動MOSFET管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET隔離驅(qū)動電路，其特征在于：所述邊 沿捕獲電路為RC微分電路，微分電路的輸入接電容C的一端，微分電 路的輸出接電容C的另一端，電阻R的一端接微分電路的輸出，電阻R 的另一端接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET隔離驅(qū)動電路，其特征在于：所述變 壓器的副邊為N個PWM副邊輸出電路，可同時輸出N路MOSFET驅(qū) 動信號，實現(xiàn)N個MOSFET的隔離驅(qū)動。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET隔離驅(qū)動電路，其特征在于：所述 MOSFET隔離驅(qū)動電路還包括脈寬拓展電路，所述脈寬拓展電路包括第 一非門、第一二極管D₁、第二非門、電阻R₁、電容C₁；其中，PMW信 號經(jīng)由第一非門與第一二極管D₁的負極相連，第一二極管D₁的正極與 第二非門U1B相連，第二非門的輸出即為脈寬拓展電路的輸出；電阻 R₁的一端連接電壓V_CC，R₁的另一端與第一二極管D₁的正極相連；電 容C₁的一端接地，C₁的另一端與第一二極管D₁的正極相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET隔離驅(qū)動電路，其特征在于：所述副 邊輸出電路包括第一開關(guān)管、第二開關(guān)管；第一開關(guān)管的源極接變壓器 副邊的一端，第一開關(guān)管的柵極接變壓器副邊的另一端，第一開關(guān)管的 漏極接第二開關(guān)管的柵極，第二開關(guān)管的源極接第一開關(guān)管的柵極，第 一開關(guān)管的漏極和第二開關(guān)管的漏極作為副邊輸出電路的輸出端。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOSFET隔離驅(qū)動電路，其特征在于：在所述 脈寬拓展電路與第二邊沿捕獲電路之間還有第三非門。