[實用新型]一種功率模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520938563.5
• 申請日: 2015-11-23
• 公開（公告）號: CN205140971U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐文輝;王玉林;滕鶴松
• 申請（專利權(quán)）人: 揚州國揚電子有限公司
• 主分類號: H01L25/11
• 分類號: H01L25/11;H01L23/48;H02M1/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 陳靜

1.一種功率模塊，包括正電極(1)、負電極(2)、輸出電極(3)、上橋臂集合、下橋臂集合 和過渡銅層(6)，其特征在于，所述下橋臂集合包括下橋臂芯片銅層(4)、下橋臂接線銅層 (5)以及安裝在下橋臂芯片銅層(4)上的下橋臂芯片單元(7)，所述下橋臂接線銅層(5)位于 下橋臂芯片銅層(4)與過渡銅層(6)之間，所述下橋臂芯片單元(7)通過邦定線與下橋臂接 線銅層(5)相連；從正電極(1)流出的工作電流(11)通過過渡銅層(6)流入上橋臂集合最終 流至輸出電極(3)；由負電極(2)流出的續(xù)流電流(21)流入下橋臂接線銅層(5)，再經(jīng)邦定線 流入下橋臂芯片銅層(4)上的下橋臂芯片單元(7)，最終流至輸出電極(3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂集合包括上橋臂芯片 銅層(9)、上橋臂接線銅層(10)以及安裝在上橋臂芯片銅層(9)上的上橋臂芯片單元(8)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元(8)包括集 成于一體的上橋臂功率開關(guān)和上橋臂內(nèi)部二極管，且上橋臂功率開關(guān)和上橋臂內(nèi)部二極管 并聯(lián)；下橋臂芯片單元(7)包括集成于一體的下橋臂功率開關(guān)和下橋臂內(nèi)部二極管，且下橋 臂功率開關(guān)和下橋臂內(nèi)部二極管并聯(lián)；由負電極(2)流出的續(xù)流電流(21)流入下橋臂接線 銅層(5)，再經(jīng)邦定線流入下橋臂芯片銅層(4)上的下橋臂內(nèi)部二極管的正極、下橋臂內(nèi)部 二極管的負極，最終流至輸出電極(3)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元(8)包括上 橋臂功率開關(guān)和與之并聯(lián)的上橋臂外部二極管，下橋臂芯片單元(7)包括下橋臂功率開關(guān) 和與之并聯(lián)的下橋臂外部二極管；由負電極(2)流出的續(xù)流電流(21)流入下橋臂接線銅層 (5)，再經(jīng)邦定線流入下橋臂芯片銅層(4)上的下橋臂外部二極管的正極、下橋臂外部二極 管的負極，最終流至輸出電極(3)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元(8)包括并 聯(lián)的上橋臂功率開關(guān)、上橋臂內(nèi)部二極管和上橋臂外部二極管，且上橋臂功率開關(guān)和上橋 臂內(nèi)部二極管集成于一體；下橋臂芯片單元(7)包括并聯(lián)的下橋臂功率開關(guān)、下橋臂內(nèi)部二 極管和下橋臂外部二極管，且下橋臂功率開關(guān)和下橋臂內(nèi)部二極管集成于一體；由負電極 (2)流出的續(xù)流電流(21)流入下橋臂接線銅層(5)，再經(jīng)邦定線流入下橋臂芯片銅層(4)上 的下橋臂外部二極管的正極和下橋臂內(nèi)部二極管的正極、下橋臂外部二極管的負極和下橋 臂內(nèi)部二極管的負極，最終流至輸出電極(3)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元(8)包括上 橋臂功率開關(guān)；所述上橋臂功率開關(guān)和下橋臂功率開關(guān)均為MOS管；從正電極(1)流出的工 作電流(11)通過過渡銅層(6)流入上橋臂芯片銅層(9)上的上橋臂功率開關(guān)的漏極、上橋臂 功率開關(guān)的源極，再經(jīng)上橋臂接線銅層(10)，最終流至輸出電極(3)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元(8)包括上 橋臂功率開關(guān)；所述上橋臂功率開關(guān)和下橋臂功率開關(guān)均為IGBT；從正電極(1)流出的工作 電流(11)通過過渡銅層(6)流入上橋臂芯片銅層(9)上的上橋臂功率開關(guān)的集電極、上橋臂 功率開關(guān)的發(fā)射極，再經(jīng)上橋臂接線銅層(10)，最終流至輸出電極(3)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元(8)包括上 橋臂功率開關(guān)；所述上橋臂功率開關(guān)為MOS管，下橋臂功率開關(guān)為IGBT；從正電極(1)流出的 工作電流(11)通過過渡銅層(6)流入上橋臂芯片銅層(9)上的上橋臂功率開關(guān)的漏極、上橋 臂功率開關(guān)的源極，再經(jīng)上橋臂接線銅層(10)，最終流至輸出電極(3)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元(8)包括上 橋臂功率開關(guān)；所述上橋臂功率開關(guān)為IGBT，下橋臂功率開關(guān)為MOS管；從正電極(1)流出的 工作電流(11)通過過渡銅層(6)流入上橋臂芯片銅層(9)上的上橋臂功率開關(guān)的集電極、上 橋臂功率開關(guān)的發(fā)射極，再經(jīng)上橋臂接線銅層(10)，最終流至輸出電極(3)。