[實用新型]一種GaN壓力傳感器芯片

有效

• 申請號: 201520935585.6
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN205081147U
• 公開（公告）日: 2016-03-09
• 發明（設計）人: 陳一峰
• 申請（專利權）人: 成都嘉石科技有限公司
• 主分類號: H01L41/08
• 分類號: H01L41/08;H01L41/04
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐

1.一種GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，包括由下而上依次形成的襯底、AlN緩沖層、GaN過渡層、AlN隔離層、AlGaN肖特基勢壘層和GaN帽層，所述GaN過渡層與所述AlGaN肖特基勢壘層形成二維電子氣，所述二維電子氣位于所述GaN過渡層和所述AlN隔離層之間；所述GaN帽層設有壓力感應區，所述壓力感應區從GaN帽層的上表面嵌入延伸至所述GaN過渡層內部，在鄰近所述壓力感應區的GaN帽層上形成有柵極、源極和漏極，所述漏極位于所述壓力感應區和源極之間，所述柵極位于源極和漏極之間，并在所述GaN帽層上生長有具有張應力的鈍化層，所述鈍化層完全覆蓋柵極、源極和漏極，且鈍化層上罩設有保護蓋。

2.根據權利要求1所述的GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，所述襯底的材料為Si、SiC、GaN、藍寶石或金剛石。

3.根據權利要求1所述的GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，所述鈍化層的材料為SiN或SiO₂。

4.根據權利要求1所述的GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，所述保護蓋的材料為塑料、陶瓷或高分子材料。

5.根據權利要求1所述的GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，所述保護蓋為圓形，所述柵極、源極和漏極呈圓形排布，所述壓力感應區全部或部分環繞所述保護蓋。

6.根據權利要求5所述的GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，所述保護蓋為方形，所述柵極、源極和漏極呈方形排布，所述壓力感應區全部或部分平行于所述保護蓋。

7.根據權利要求1所述的GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，所述壓力感應區的寬度為100μm～2mm。

8.根據權利要求7所述的GaN壓力傳感器芯片，其特征在于，所述壓力感應區與鈍化層的距離為500nm～500μm。