[實用新型]一種用于2.79μm有效補償熱退偏效應的激光器結構有效
| 申請號: | 201520931404.2 | 申請日: | 2015-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN205195037U | 公開(公告)日: | 2016-04-27 |
| 發明(設計)人: | 王金濤;程庭清;王禮;邢庭倫;胡舒武;崔慶哲;吳先友;江海河 | 申請(專利權)人: | 中國科學院合肥物質科學研究院 |
| 主分類號: | H01S3/115 | 分類號: | H01S3/115;H01S3/16;H01S3/042;H01S3/0941 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 230031 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 2.79 有效 補償 熱退偏 效應 激光器 結構 | ||
1.一種用于2.79μm有效補償熱退偏效應的激光器結構,其特征在于:包括周圍環繞有 半導體泵浦模塊的激光棒,激光棒前端前方設有輸出腔片,還包括激光電源、退壓調Q高壓 模塊、兩組調Q晶體、起偏器,所述調Q晶體為長方體狀的鈮酸鋰晶體,鈮酸鋰晶體經X-Y-Z方 向切割形成LN電光的調Q晶體,且調Q晶體的X軸方向加電場、沿Z軸方向通光,其中第一組調 Q晶體的Z軸與激光棒中心軸同軸,第一組調Q晶體的前端與激光棒后端相對,且第一組調Q 晶體的后端后方設有全反腔片,所述起偏器設在激光棒后端與第一組調Q晶體前端之間,第 二組調Q晶體設置在起偏器一側,且第二組調Q晶體Z軸一端傾斜對準起偏器,第二組調Q晶 體Z軸另一端外亦設有全反腔片,由兩組調Q晶體和起偏器構成電光Q開關,兩組調Q晶體分 別與退壓調Q高壓模塊連接,由退壓調Q高壓模塊分別向兩組調Q晶體施加電場,所述激光電 源分別供電至退壓調Q高壓模塊、半導體泵浦模塊;
激光電源向半導體泵浦模塊提供能量,半導體泵浦模塊產生泵浦光,泵浦光進入激光 棒內進行泵浦產生高脈沖激光,在激光棒前端高脈沖激光經過輸出腔片出射,在激光棒后 端高脈沖激光經過電光調Q開關調Q后,再經過全反腔片反射后依次經過激光棒、輸出腔片 出射。
2.根據權利要求1所述的一種用于2.79μm有效補償熱退偏效應的激光器結構,其特征 在于:還包括激光水冷系統,所述激光水冷系統分別通過管路與激光棒、半導體泵浦模塊連 接,所述激光電源供電至激光水冷系統,由激光水冷系統向激光棒、半導體泵浦模塊提供恒 溫冷卻水。
3.根據權利要求1所述的一種用于2.79μm有效補償熱退偏效應的激光器結構,其特征 在于:所述激光棒采用Er:YSGG激光晶體,激光棒的前、后端端面分別鍍2.79μm增透膜。
4.根據權利要求1所述的一種用于2.79μm有效補償熱退偏效應的激光器結構,其特征 在于:所述全反腔片的朝向激光棒前端的一面鍍2.79μm全反膜,輸出腔片的朝向激光棒前 端的一面鍍80%反射膜,輸出腔片的朝向激光棒后端的一面鍍2.79μm增透膜。
5.根據權利要求1所述的一種用于2.79μm有效補償熱退偏效應的激光器結構,其特征 在于:所述調Q晶體的兩Y-Z面分別鍍金作為電極,保證了電場的均勻性,調Q晶體的雙X-Y面 分別鍍2.79μm增透膜。
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