[實用新型]一種芯片嵌入式垂直封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520928587.2
• 申請日: 2015-11-20
• 公開（公告）號: CN205194692U
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 張黎;龍欣江;賴志明;陳棟;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L23/538;H01L23/31;H01L23/373
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

1.一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其包括上表面附有芯片電極（13）及相應電路布局的芯片單體（10），所述芯片單體（10）的芯片本體（11）的上表面覆蓋芯片表面鈍化層（15）并開設有芯片表面鈍化層開口（151），芯片電極（13）的上表面露出芯片表面鈍化層開口（151），

其特征在于：還包括薄膜包封體（3），一個或一個以上所述芯片單體（10）由背面嵌入薄膜包封體（3）內，在所述芯片單體（10）的上表面和薄膜包封體（3）的上表面覆蓋絕緣薄膜層（5），并于所述芯片電極（13）的上表面開設絕緣薄膜層開口（511），

在絕緣薄膜層開口（511）內形成凸點下金屬塊（4），所述凸點下金屬塊（4）的縱截面呈T字狀，所述凸點下金屬塊（4）與芯片電極（13）實現(xiàn)電性連接，在凸點下金屬塊（4）的最外層設有輸入/輸出端（411），在所述輸入/輸出端（411）處設置連接件（6），

所述薄膜包封體（3）的背面設置硅基加強板（7），所述硅基加強板（7）面向薄膜包封體（3）的一面設置結合結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述凸點下金屬塊（4）是依次形成銅層、鎳層、金層的銅/鎳/金凸塊。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：在所述芯片表面鈍化層開口（151）內填充先形成鎳層再形成金層的鎳/金層（17），所述凸點下金屬塊（4）通過鎳/金層（17）與芯片電極（13）實現(xiàn)電性連接。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述結合結構為復數(shù)個凸出或者凹陷于所述硅基加強板面向薄膜包封體的那面的紋理結構。

5.根據(jù)權利要求1或4所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述結合結構為棱狀結構、點狀結構、波紋狀結構的一種或任意幾種的組合。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述輸入/輸出端（411）設置于芯片單體（10）的垂直區(qū)域之內。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述硅基加強板（7）的厚度范圍為不大于200微米。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述硅基加強板（7）的厚度范圍為50～100微米。

9.根據(jù)權利要求7所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述硅基加強板（7）的厚度為0微米。

10.根據(jù)權利要求1所述的一種芯片嵌入式垂直封裝結構，其特征在于：所述連接件（6）為焊球、焊塊或金屬凸塊。