[實用新型]一種提高芯片可靠性的封裝結構

有效

• 申請號: 201520928534.0
• 申請日: 2015-11-20
• 公開（公告）號: CN205122561U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 張黎;龍欣江;賴志明;陳棟;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/535;H01L23/49;H01L23/12;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/78
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

1.一種提高芯片可靠性的封裝結構，其包括上表面附有芯片電極（13）及相應電路布局的芯片單體（10），所述芯片單體（10）的芯片本體（11）的上表面覆蓋芯片表面鈍化層（15）并開設有芯片表面鈍化層開口（151），芯片電極（13）的上表面露出芯片表面鈍化層開口（151），

其特征在于：所述芯片單體（10）的前后左右四個側壁各設置有加強結構，

還包括薄膜包封體（2），所述芯片單體（10）由背面嵌入薄膜包封體（2）內，在所述芯片表面鈍化層開口（151）內填充先形成鎳層再形成金層的鎳/金層（17），在所述芯片單體（10）的上表面和薄膜包封體（2）的上表面覆蓋絕緣薄膜層Ⅰ（51），并于所述鎳/金層（17）的上表面開設絕緣薄膜層Ⅰ開口（511），在絕緣薄膜層Ⅰ（51）的上表面形成再布線金屬層（4）和絕緣薄膜層Ⅱ（52），所述再布線金屬層（4）填充絕緣薄膜層Ⅰ開口（511），所述再布線金屬層（4）通過鎳/金層（17）與芯片電極（13）實現電性連接，在再布線金屬層（4）的最外層設有輸入/輸出端（411），所述絕緣薄膜層Ⅱ（52）覆蓋再布線金屬層（4）并露出輸入/輸出端（411），在所述輸入/輸出端（411）處形成連接件（6），所述薄膜包封體（2）的背面設置硅基加強板。

2.根據權利要求1所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述加強結構為芯片單體（10）的前后左右四個側面分別與其背面形成傾斜角α，其取值范圍：10度≤α<90度。

3.根據權利要求2所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述傾斜角α為25度、30度、45度、60度、75度。

4.根據權利要求1所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述加強結構為兩個斜面和上下連接該兩個斜面的一平面，靠近芯片電極（13）的斜面的傾斜角α1的取值范圍為10~90度，遠離芯片電極13的斜面的傾斜角α2的取值范圍為10~90度，且α2≥α1。

5.根據權利要求4所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述傾斜角α1為25度、30度、45度、60度、75度，所述傾斜角α2為25度、30度、45度、60度、75度、90度。

6.根據權利要求1所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述絕緣薄膜層Ⅰ開口（511）的尺寸不大于芯片表面鈍化層開口（151）的尺寸。

7.根據權利要求1或6所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述絕緣薄膜層Ⅰ開口（511）內植入金屬柱，所述金屬柱連接再布線金屬層（4）與鎳/金層（17）。

8.根據權利要求1所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述連接件（6）是焊球凸點、焊塊或金屬塊。

9.根據權利要求1所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述再布線金屬層（4）為單層或多層。

10.根據權利要求1或9所述的一種提高芯片可靠性的封裝結構，其特征在于：所述再布線金屬層（4）的輸入/輸出端（411）設置于芯片單體（10）的垂直區域的外圍。