[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201520926565.2
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN205104478U
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 小林達也
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術領域

本實用新型涉及使用樹脂對殼體內進行密封且能夠在高溫區域進行工作的半導體裝置。

背景技術

有的半導體裝置使用了樹脂殼體來代替使用模具的傳遞模塑。在這種半導體裝置中，有的使用了SiC等化合物半導體作為半導體元件。與以往的Si半導體相比，SiC等化合物半導體能夠在高溫區域進行工作，被期待實現小型化和高效化。

在將半導體裝置的端子連接到以金屬基板為底座構成的模塊時，端子的位置偏移成為問題。因此，作為對策，已知有如下技術：將端子固定在外周的殼體上，從而提高端子的位置精度(專利文獻1)。

【專利文獻1】：日本特開2013-171870號公報

然而，在上述的現有技術中，端子的位置精度雖然提高，但相對于施加給端子的負荷而言，僅靠密封樹脂的話強度不足，存在如下問題：端子的接合部發生畸變，從而導致接合部的劣化。

實用新型內容

鑒于上述問題，本實用新型提供一種半導體裝置，其能夠防止由負荷導致的端子的接合劣化，具有高可靠性。

為了解決上述問題，本實用新型成為如下所示的結構。

本實用新型的半導體裝置具有：半導體元件、一個主面上搭載有所述半導體元件的基板、與所述基板相連接的端子、以及配置于所述基板的一個主面并且被配置為包圍所述半導體元件的殼體，該半導體裝置的特征在于，所述殼體由第1殼體和第2殼體構成，所述第1殼體是外圍體，所述第2殼體以夾著所述端子的方式，與所述端子和所述第1殼體相抵接。

本實用新型的半導體裝置的特征在于，所述第1殼體在下表面和外壁上具有コ字形狀的凹部。

在本實用新型中，利用第1殼體和第2殼體夾著端子，由此實現了能夠提供一種防止由負荷導致的端子的接合劣化且具有高可靠性的半導體裝置的效果。

附圖說明

圖1是本實用新型的實施例1的半導體裝置100的俯視示意圖。

圖2是示出圖1的A-A剖面處的半導體裝置100的結構的剖面示意圖。

圖3是示出圖1的B-B剖面處的半導體裝置100的結構的剖面示意圖。

標號說明

1：第1殼體；2：第2殼體；3：半導體元件；4：基板；5：導體層；6：端子；100：半導體裝置。

具體實施方式

下面，參照附圖對用于實施本實用新型的方式詳細地進行說明。另外，在以下附圖的記載中，對于相同或類似的部分，使用相同或類似的標號進行表示。但是，附圖是示意性的，尺寸關系的比率等與實際不同。因此，具體的尺寸等應該參照以下說明進行判斷。另外，當然附圖相互之間也包括彼此的尺寸關系或比率不同的部分。

另外，以下所示的實施方式是用于使該實用新型的技術思想具體化的例子，該實用新型的實施方式并不將構成部件的材質、形狀、結構、配置等限定為下述的內容。該實用新型的實施方式能夠在不脫離主旨的范圍內實施各種改變。

實施例

下面，參照附圖對本實用新型的實施例的半導體裝置100進行說明。圖1是本實用新型的實施例的半導體裝置100的俯視示意圖。圖2是示出圖1的A-A剖面處的半導體裝置100的結構的剖面示意圖。另外，圖3是示出圖1的A-A剖面處的半導體裝置100的結構的剖面示意圖。

圖1所示的半導體裝置100具有：外側殼體1、內側殼體2、半導體元件3、基板4、導體層5以及端子6。

第1殼體配置于基板4的一個主面，俯視觀察時，以包圍半導體元件的方式設置。在本實施例中，第1殼體的外壁和第2殼體2的內壁相抵接。因此，第1殼體1作為保護半導體元件的封裝(外圍體)的一部分發揮作用。殼體例如優選為加工性好且熔點較高(280℃)、以聚苯硫醚(PPS)為代表的高性能工程塑料。

第2殼體配置于基板4的一個主面，俯視觀察時，以包圍半導體元件的方式設置。在本實施例中，在第1殼體的下表面和外壁上具有コ字形狀的凹部。通過將端子固定于凹部來防止與負荷相應的變形。

第1殼體的外壁和第2殼體2的內壁相抵接，作為保護半導體元件的封裝(外圍體)的一部分發揮作用。第2殼體例如優選為加工性好且熔點較高(280℃)、以聚苯硫醚(PPS)為代表的高性能工程塑料。

半導體元件3通過粘結材料被載置并固定于基板4上的電極上。例如，半導體元件3是由Si半導體、SiC半導體等構成的電力用半導體元件。化合物半導體與Si半導體相比，能夠在高溫狀態下進行工作，另外，開關速度較快，損耗低。