[實用新型]攝像頭模組的測試裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520913183.6 | 申請日: | 2015-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN205231060U | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 侯欣楠 | 申請(專利權(quán))人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/66 |
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| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 攝像頭 模組 測試 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種攝像頭模組的測試裝置。
背景技術(shù)
目前,主流的圖像傳感器(CIS:CMOSImageSensor)的封裝方法包括:芯片級封裝(ChipScalePackage,CSP)、板上集成封裝(ChipOnBoard,COB)及倒裝芯片封裝(FlipChip,F(xiàn)C)。
CISCSP是一種目前普遍應(yīng)用在中低端、低像素(2M像素或以下)圖像傳感器的封裝技術(shù),可采用Dielevel(芯片級)或Waferlevel(晶圓級)封裝技術(shù)。該封裝技術(shù)通常使用晶圓級玻璃與晶圓bonding并在晶圓的圖像傳感器芯片之間使用圍堰隔開,然后在研磨后的晶圓的焊盤區(qū)域通過制作焊盤表面或焊盤面內(nèi)孔側(cè)面環(huán)金屬連接的硅穿孔技術(shù)(TSV:ThroughSiliconVia)或切割后焊盤側(cè)面的T型金屬接觸芯片尺寸封裝技術(shù),并在晶圓背面延伸線路后制作焊球柵陣列(BGA:BallGridArray),然后切割后形成單個密封空腔的圖像傳感器單元。后端通過SMT的方法形成模塊組裝結(jié)構(gòu)。但是,CSP封裝具有如下明顯的問題:1影響產(chǎn)品性能:厚的支撐玻璃對光的吸收、折射、反射及散射對圖像傳感器尤其是小像素尺寸產(chǎn)品的性能具有很大的影響;2可靠性問題:封裝結(jié)構(gòu)中的構(gòu)件之間的熱膨脹系數(shù)差異及空腔內(nèi)密封氣體在后面的SMT工藝或產(chǎn)品使用環(huán)境的變化中出現(xiàn)可靠性問題;3投資規(guī)模大、環(huán)境污染控制要求大,生產(chǎn)周期較長,單位芯片成本較高尤其對于高像素大尺寸圖像傳感器產(chǎn)品。
CISCOB封裝是一種目前普遍應(yīng)用在高端、高像素產(chǎn)品(5M像素或以上)圖像傳感器的DieLevel(芯片級)封裝技術(shù)。該封裝技術(shù)把經(jīng)研磨切割后的芯片背面bonding在PCB板的焊盤上使用鍵合金屬導(dǎo)線,裝上具有IR玻璃片的支架和鏡頭,形成組裝模塊結(jié)構(gòu)。但是,COB封裝如下明顯的問題:1、微塵控制非常困難,需要超高的潔凈室等級,制造維持成本高;2、產(chǎn)品設(shè)計定制化、周期長、靈活度不夠;3不容易規(guī)模化生產(chǎn);
CISFC封裝最近興起的高端、高像素(5M像素或以上)圖像傳感器的DieLevel(芯片級)封裝技術(shù)。該封裝技術(shù)把在焊盤做好金素凸塊經(jīng)研磨切割的芯片焊盤直接與PCB的焊盤通過熱超聲的作用一次性所有接觸凸塊與焊盤進(jìn)行連接,形成封裝結(jié)構(gòu)。后端通過PCB外側(cè)的焊盤或錫球采用SMT的方法形成模塊組裝結(jié)構(gòu)。但是,F(xiàn)C封裝如下明顯的問題:1該封裝對PCB基板要求很高,與Si具有相近的熱膨脹系數(shù),成本很高;2制造可靠性難度很大,熱超聲所有凸塊與焊盤連接的一致性要求非常高,凸塊與焊盤硬連接,延展性不好;3微塵控制難度大、工藝環(huán)境要求高,成本很高。
在傳統(tǒng)的采用金屬導(dǎo)線鍵合的圖像傳感器芯片封裝工藝中,通常先將圖像傳感器芯片固晶(例如粘附)到轉(zhuǎn)接板(柔性電路板)上,然后進(jìn)行鍵合焊線,將金屬導(dǎo)線的第一端連接于圖像傳感器芯片的焊盤上,第二端連接于轉(zhuǎn)接板上,由此實現(xiàn)圖像傳感器芯片和轉(zhuǎn)接板的電氣連接,然后再將封裝后的圖像傳感器芯片通過轉(zhuǎn)接板上的引線或錫球連接到電路板上。現(xiàn)有導(dǎo)線鍵合方法容易造成封裝后的結(jié)構(gòu)靈活性較差,攝像頭模組的后續(xù)裝配精度要求高,鏡頭和圖像傳感器芯片的相對位置難以控制影響攝像頭模組的性能;而且由于現(xiàn)有方法的流程較長,封裝效率較低,導(dǎo)致圖像傳感器芯片較長時間暴露于空氣中,需要多次的檢測和清洗,降低良品率,增加攝像頭模組的成本。
尤其是,對于一些金屬導(dǎo)線第二端采用其他工藝進(jìn)行連接的圖像傳感器芯片,需要采用新的鍵合方法和鍵合裝置形成一種具有懸空金屬導(dǎo)線的攝像頭模組,該攝像頭模組包括圖像傳感器芯片和若干金屬導(dǎo)線,金屬導(dǎo)線的第一端與圖像傳感器芯片相連,金屬導(dǎo)線的第二端懸空于圖像傳感器芯片。在將這種攝像頭模組與電路板裝配之前,通常需要對該攝像頭模組進(jìn)行電性測試,以保證模組產(chǎn)品質(zhì)量。因此亟需一種適用于具有懸空金屬導(dǎo)線的攝像頭模組的測試裝置,以便降低接觸電阻,實現(xiàn)圖像傳感器芯片與測試板的電性連接,從而對模組進(jìn)行電性測試。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種攝像頭模組的測試裝置,適用于具有懸空金屬導(dǎo)線的攝像頭模組,降低接觸電阻,實現(xiàn)圖像傳感器芯片與測試板的電性連接,從而對模組進(jìn)行電性測試。
基于以上考慮,本實用新型提供一種攝像頭模組的測試裝置,所述攝像頭模組包括圖像傳感器芯片和若干金屬導(dǎo)線,所述金屬導(dǎo)線的第一端與所述圖像傳感器芯片相連,所述金屬導(dǎo)線的第二端懸空于所述圖像傳感器芯片;所述測試裝置包括若干測試點,所述測試點適于與所述金屬導(dǎo)線的第二端接觸進(jìn)行電性測試。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





