[實用新型]一種基于鈣鈦礦雙柵碳納米管鐵電存儲器有效

申請號：	201520909519.1	申請日：	2015-11-16
公開（公告）號：	CN205104493U	公開（公告）日：	2016-03-23
發明（設計）人：	譚秋紅;王前進;劉應開;楊志坤;羅文平;譚秋艷	申請（專利權）人：	云南師范大學
主分類號：	H01L29/792	分類號：	H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/10;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司：	昆明科陽知識產權代理事務所 53111	代理人：	董建國
地址：	650500 云南省昆***	國省代碼：	云南;53
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種基于鈣鈦礦雙柵碳納米管鐵電存儲器
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【權利要求書】：

1.一種基于鈣鈦礦雙柵碳納米管鐵電存儲器，其特征在于，包括襯底層（1）、柵電極（2）、鐵電絕緣層（3）、碳納米管條紋陣列（4）、源電極（5）和漏電極（6），所述襯底層（1）上設置有柵電極（2），柵電極（2）上設置有鐵電絕緣層（3），鐵電絕緣層（3）上設置有碳納米管條紋陣列（4），碳納米管條紋陣列（4）上設置有源電極（5）和漏電極（6）。

2.根據權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦雙柵碳納米管鐵電存儲器，其特征在于，所述襯底層（1）的材料為金屬硅。

3.根據權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦雙柵碳納米管鐵電存儲器，其特征在于，所述柵電極（2）包括第一層柵電極（21）和第二層柵電極（22），第一柵電極的材料為pt，第二柵電極（2）的材料為鈣鈦礦結構的LaNiO₃。

4.根據權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦雙柵碳納米管鐵電存儲器，其特征在于，所述鐵電絕緣層（3）的材料為(Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂。

5.根據權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦雙柵碳納米管鐵電存儲器，其特征在于，所述源電極（5）和漏電極（6）的材料是鈣鈦礦結構的LaNiO₃。

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